随着新能源、通信、轨道交通、航天航空等领域的快速发展,半导体产业扮演着越来越重要的角色。氮化铝（Al N）凭借其直接带隙、宽禁带......

Ⅲ族氮化物材料（Al N、Ga N、In N）具有载流子寿命长,良好的化学和热稳定性等优点,是目前唯一已知的宽禁带、直接带隙且波长连续可调......

采用物理气相传输法在钨制坩埚上制备AlN单晶.通过采用COMSOL软件中的固体传热和磁场模块,对AlN晶体生长的坩埚的热场进行仿真,同......

本文从AlN材料的物理特性入手,并阐述了其在电子器件的广泛应用.介绍了国内外的AlN单晶生长历程,到目前AlN单晶生长的最高水平.最......

通过扫描电镜（SEM）观察了SiC籽晶上生长AlN单晶的断裂面形貌。模拟了SiC籽晶与AlN晶体之间的应力分布。通过计算不同晶面的面间距,确......

氮化铝(AlN)具有超宽禁带宽度(6.2 eV)、高热导率(340 W/(m·℃))、高击穿场强(11.7 MV/cm)、良好的紫外透过率、高化学和热稳......

采用透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术对氮化硼坩埚中自发成核的AlN单晶生长习性进行了研究。结果表明，在低温下，AlN单晶显露面......

对物理气相传输法(PVT)生长的AlN单晶进行了性质表征,研究了单晶中的杂质和缺陷、发光性质和晶体结构等,结果表明该AlN单晶具有较......