AlxGa1-xN相关论文
为了掌握Ⅲ族氮化物微观结构对热力学性能的影响规律,进而为超高功率器件的设计提供数据支持,本文借助第一性原理计算软件CASTEP,......
报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况,介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器......
基于第一性原理方法系统研究了化学有序结构AlxGa1-xN合金的结构特征和电子性质.结果表明:随着组分x的增大,化学有序结构AlxGa1-xN......
,Structural characterization of Al0.55Ga0.45N epitaxial layer determined by high resolution x-ray di
Structural characteristics of Al0.55Ga0.45N epilayer were investigated by high resolution x-ray diffraction (HRXRD) and ......
室温300 K下,由于AlxGa1-xN 的带隙宽度可以从GaN的3.42 eV到 AlN 的6.2 eV之间变化,所以AlxGa1-xN是紫外光探测器和深紫外LED所必......
基于第一性原理方法系统研究了化学有序结构AlxGa1-xN合金的结构特征和电子性质.结果表明：随着组分x的增大,化学有序结构AlxGa1-xN......
在生长AlxGa1-xN外延层过程中,由于外延层的热膨胀系数和晶格常数与衬底的不同,导致许多残留应变产生,这会影响外延层材料的能带结......
在生长AlxGa1-xN外延层过程中,由于外延层的热膨胀系数和晶格常数与衬底的不同,导致许多残留应变产生,这会影响外延层材料的能带结......
By making use of the density functional theory (DFT) of the first principles and generalized gradient approximation meth......
由于声子和极化子对纤锌矿结构混晶和由其组成的量子阱的物理性质存在重要影响,采用赝原胞模型法计算纤锌矿结构混晶中Γ点的光学......
AlxGa1-xN是直接带隙宽禁带半导体材料,化学性质稳定,耐高温,抗辐射,波长在200～365 nm范围内连续可调,在空气净化、杀菌与消毒、半......
通过MOCVD设备，在c面蓝宝石衬底上异质外延了不同Al组分含量的AlGa1-xN材料。生长过程中采用了低温缓冲层技术、脉冲原子外延技术（PA......
第三代半导体GaN与AlN合成的AlxGa1-xN三元合金晶体材料随着Al组分的变化其禁带宽度不但变化范围大（3.4eV～6.2Ev）且连续可调,对应吸收......
半导体纳米材料是当今材料学研究最重要的一部分,其优异的特性决定了它巨大的发展潜力。以Ⅲ-Ⅴ族化合物材料为代表的第三代半导体......
AlxGa1-xN作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,其禁带宽度可以从3.4eV(GaN)到6.2eV(A1N)之间连续可调,波长覆盖200nm-365nm范围,优异的性能使......
本论文通过MOCVD生长手段,通过一系列实际的生长和测试实验,在蓝宝石衬底上异质外延了高Al组分的AlxGa1-xN外延层,并且针对多种缓......
<正>AlxGa1-xN 是紫外光探测器和深紫外 LED 所必需的外延材料,而采用 MOCVD 在蓝宝石衬底上生长的 GaN 基 AlxGa1-xN 薄膜由于受......
