开启电压相关论文
本文报道了一种工艺简单可靠、利用钨丝掩膜质子轰击（见Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．Ｓｅｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，１９９６，１１∶１７３４～１７３６）方法制成的室温准连续运转可见光垂直腔面发射激光器。激射波长为６６０ｎｍ。外延片......
报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况,介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器......
本文基于多晶SiGe栅量子阱SiGe pMOSFET器件物理,考虑沟道反型时自由载流子对器件纵向电势的影响,通过求解泊松方程,建立了p+多晶S......
对采用MOCVD生长的AlGaN pin结构上制备的背照日盲型3×3AlGaN串联紫外探测器进行了光电性能的研究。室温下单元探测器的峰值响应......
本文报导了紫外光擦除,电可编程序唯读存储器8KEPROM 的研制概况。介绍了器件特点,写入模型和擦除模型。并对电路进行了初步分析;......
本工作研究了掺砷二氧化硅乳胶源的制备、涂布及扩散工艺、扩散规律。把掺砷乳胶源应用到集成电路TTLSM323生产的隐埋扩散中去,得......
在实践中准确地测定和表征出MOS器件样管的开启电压,对于大规模集成电路的设计以及将MOS器件作为分立器件的在电路应用,均是至关重......
随着化石燃料的逐渐枯竭和环境污染问题的日益凸显,新能源的开发已迫在眉睫,作为清洁能源的代表——太阳能,正成为新能源开发的主......
碳纳米管(Carbon Nanotube, CNT)是继C60之后碳材料领域的重大发现,是由一层或多层石墨片卷曲而成的同心中空管,因其奇特的结构和......
以Cl2+SF6为刻蚀气体用RIE刻蚀机在200mtorr压力下刻蚀Channel部a-Silicon.通过调整刻蚀时间.研究a-Silicon剩余厚度对TFT特性的影......
采用悬浮球模型,结合对称的镜像电荷层方法,对静电场中纳米碳管阵列的场增强因子进行了计算,并在考虑极板间距的情况下,对其计算结......
降低能耗对于液晶显示器件，尤其是移动显示尤为重要。在本研究中，3nm和5nm两种不同尺寸的CdS纳米粒子被用来掺杂入5CB液晶材料。掺杂......
对Spin＆阵列阴极表面涂敷ZrC薄膜后的发射性能进行了研究。本实验采用原位沉积的方法实现ZrC薄膜的涂敷，所谓原位沉积就是在沉积完Mo......
自1995年首次报道碳纳米管电子场发射实验研究以来,碳纳米管被认为是最具应用潜力的电子场发射极,特别是近几年碳纳米管合成技术的......
在电路制作、维修过程中，有时需要测量场效应管的跨导gm，而一般的电子爱好者手中没有相应的仪器。本文介绍的电路能方便地测量场效应......
深入探究了多层有机电致发光器件的特性及优势.理论上分析了器件的电场与局域态的特性关系,设计了类似夹层式的两次堆叠双层有机层......
为了提高AC-LED光利用率,本文设计了一种利用结型场效应管开关特性控制AC-LED中阵列晶粒分段提前导通的电路。利用Pspice软件设计......
本文分析了通信用过流过压保护模块YD-CLP200M在过压保护、正浪涌和负浪涌过流保护模式下的工作原理,给出了与器件结构参数有关的......
制备了大尺寸 AlGaInP/GaAs SHBT和 DHBT,对其直流特性进行了测试,并分析了 AlGaInP/GaAs单异质结晶体管(SHBT)和双异质结晶体管(D......
对桥式RF MEMS开关开启电压的计算方法进行了研究，通过建立力电耦合模型，解联立方程组，得到了开启电压关于各项开关参数的表达式．同时......
射频微机电系统(RF MEMS)是MEMS技术的重要应用领域之一,并随着5G网络的到来,RF MEMS技术成为MEMS领域的研究热点。相比于传统的PI......
GaN基功率器件由于其高的电子迁移率、大的电子饱和速度和高的击穿电场等优异特性在高压大功率领域有非常大的应用潜力。相比Si基......
介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量......
介绍了小分子OLED器件的基本结构和制作设备，制作了两种Alq3基的小分子OLED器件，器件的结构分别为ITO／NPB（400A）／Alq3（300A）／Al和ITO／NPB（400A......
采用等离子体增强化学气相淀积系统,应用原位氧化和原位掺杂技术制备出了以非晶硅/二氧化硅多层膜结构为本征i层、分别以磷和硼掺......
本文介绍了电容式射频MEMS开关的结构、工作原理和制造工艺流程,分析了开关的开启电压和电容比,最后描述了开关在移相器、可调谐滤......
提出了一种基于双极载流子导电、具有低开启电压VK和高反向击穿电压BVR的恒流器件,并进行了初步的试验验证。利用Tsuprem4和Medici......
结合电泳沉积法和激光纳米焊接工序,在没有结合剂的情形下完成了CNTs和Al基层间较好的嵌入式粘合,从而制备出CNTs和AL复合材质形成......
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本文介绍1款在我公司伺服驱动器上使用的泵能泄放单元的工作原理，并提出改进后的泄放电路。结合实验结果，分析泵能泄放单元的驱动波......
有机电致发光器件(Organic light-emitting diode, 简称OLED)作为一种新型平板显示技术,具有主动发光、全固态、亮度高、响应速度......
随着半导体工艺的不断发展,器件的特征尺寸在不断缩小,栅氧化层也越来越薄,使得器件受到静电放电破坏的概率大大增加。为此,设计了......
提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，......
利用太阳能光电解水反应制氢为解决能源危机和环境问题提供了一条途径,是目前研究的热点方向.目前研究较多的一种光阳极材料是a-Fe......
为满足高压共轨喷油器的驱动要求,设计了喷油器用超磁致伸缩致动器。针对传统直流方波驱动响应速度慢的不足,基于大电压开启技术设......
以Cl2+SF6为刻蚀气体用RIE刻蚀机在200mtorr压力下刻蚀Channel部a-Silicon。通过调整刻蚀时间,研究a-Silicon剩余厚度对TFT特性的......
文章研究了BF2＋注入对 PMOS晶体管开启电压的影响。试验发现，在我们的工艺条件下， BF2＋注入能量是影响 PMOS管开启电压的主要因素，能量......
本文设计了一种新材料结构的InGaAs／InP双异质结晶体管（DHBT），并利用双异质结电流模型计算和分析了材料结构参数对InGaAs／InP DHBT集电......
本文就Ｇａｐ（红色）发光二极管的一次质量抽查试验和测量中的有关电流、电质特性，温度特性、亮度与环境温度的关系等问题做了简单的分析。......
磷光发射的过渡金属配合物的应用大大提高了有机电致发光器件的效率，成为这一领域走向实用化的一个焦点问题。但目前使用的磷光染料......
在有机电致发光器件中,载流子的注入是非常重要的一个环节,ITO(氧化铟锡)作为器件的阳极,其性能的改变往往影响器件的发光效率。本......
随着微电子技术的迅猛发展，半导体器件的特征尺寸日益减小，静电放电(ESD,Electro-StaticDischarge)现象逐渐成为影响器件可靠性的重......
