Co掺杂ZnO相关论文
在ITO衬底上电沉积了Co掺杂ZnO系列样品,并用X射线粉末衍射仪和扫描电子显微镜测试了样品的结构和表面形貌.结果表明Co掺杂并没有......
在如今快速发展的社会中,能源成为控制社会发展的重要要素,控制了能源就掌握了社会发展的命脉。当今世界的能源结构主要以化石能源......
采用分子束外延技术分别在不同晶面的蓝宝石(sapphire Al2O3)基片上制备了沿c轴生长的Zn0.96Co0.04O稀磁半导体薄膜.发现在Al2O3(1......
采用磁束缚电感耦合等离子体溅射沉积法在不同的氧气分压下制备了Zn0.95Co0.05O和Zn0.94Co0.05Al0.01O薄膜.利用X射线吸收精细结构......
研究了用单束脉冲激光沉积法制备的Co掺杂ZnO薄膜的结构和磁学性能。XRD表征结果表明制备的薄膜是具有沿c轴择优取向的纤锌矿点阵......
利用X射线吸收谱(XAFS)和X射线光电子能谱(XPS)等技术研究了共掺杂原子(Li,Cu,Cr)对Co原子在Co掺杂ZnO薄膜中分布形式的影响.在共......
采用固相法制备了Zn1-xCoxO（x=0．05-0．25）块材，烧结温度和Co含量对Zn1-xCoxO（x=0．05-0．25）块材的晶体结构和室温磁性能影响强烈，当x≤0．1，烧结......
稀磁氧化物是一种有重要前景的自旋源,是新一代自旋器件的重要支撑材料。制备具有室温铁磁性的稀磁氧化物,探索其磁性来源,并将其......
采用脉冲激光沉积的方法,利用Zn0.95Co0.05O陶瓷靶,在不同氧气压力下制备Zn1-xCoxO薄膜.利用X射线衍射（XRD）、电子探针、吸收光谱对......
近年来量子力学和固体理论等学科不断完善，计算机性能飞速发展，借助材料模拟软件模拟预言新材料越来越成熟。本文主要利用基于密度泛......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带直接带隙化合物半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV。可以广泛应用于紫外、绿光、蓝光等......
近年来，因在稀释磁性半导体中表现出独特的磁有序现象而备受人们关注。主要是一方面因为它对所表现出的独特磁性的理解涉及到很多的......
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝式方法,详细研究了本征Zn O和Co掺杂Zn O的电子结构和光学性质.计算结果表明,Co掺......
