CuAlO2薄膜相关论文
为了解决双极型碳化硅(SiC)功率器件中由于p型SiC在室温下难以完全电离所导致的p+n发射结注入效率低的问题,提出将p型CuAlO2与n型S......
期刊
p型CuAlO2作为一种新型半导体材料,在全透明器件上具有很好的应用前景,然而,由于材料制备困难、电导率低、不同制备方法获得的薄膜......
铜铁矿结构的CuAlO2是本征p型宽禁带半导体氧化物,具有独特的光电性能,成为实现全透明半导体光电器件的最佳候选材料。此外,CuAlO2......
铜铁矿结构CuAlO2薄膜作为最早发现的p型透明导电氧化物材料，对透明LED、透明晶体管、透明光伏电池等全透明光电器件的实现具有重大......
CuAlO_2薄膜是1997年Kawazoe等人基于价带化学修饰(CMVB)理论首次制备出的铜铁矿结构p型透明导电氧化物薄膜。自从CuAlO_2薄膜被发......
通过固相反应烧结在高温下制备出高致密度的纯相CuAlO2陶瓷靶材。采用脉冲激光沉积技术在蓝宝石和石英衬底上制备了CuAlO2薄膜,为......
本文研究了铜铁矿结构CuAlO2薄膜的变温Raman谱和介电行为。研究结果表明：体系存在电声子耦合,声子非谐衰减是峰频移动、峰宽展宽的......
采用脉冲激光沉积法制备了CuAlO2薄膜.在沉积激光能量100～180mJ范围内原位沉积的薄膜并在N2气氛下900℃异位退火1h处理后,所有薄膜......
通过磁控溅射的方法,在不同温度的石英衬底上制备了CuAlO2薄膜,研究经过退火处理后,CuAlO2薄膜的表面形貌、物相结构以及光学性能......
利用Al（OH）3和Cu2O高温固相反应烧结制备的靶材,采用射频磁控溅射法,在玻璃基片上制备非晶CuAlO2薄膜.薄膜的表面均匀,颗粒大小约为5......
以单相多晶Cu1+xAl1-xO2陶瓷做靶材,采用射频磁控溅射方法在石英衬底上沉积了Cu过量的Cu1+xAl1-xO2(0≤x≤0.04)薄膜。通过X射线衍......
在过去的几十年中,由于金属氧化物薄膜晶体管（TFT）具有优异的电学性质和高的可见光透明度等优点,而被广泛的应用于下一代有源矩阵液......
具有独特光电特性的Cu+基p型透明导电氧化物CuAlO2薄膜是基于价带化学修饰(CMVB)理论首次被发现的,它的成功开发将为实现半导体全......
在化学价带修饰（CMVB）理论的基础上，Kawazoe等人通过脉冲激光沉积（PLD）技术首次制备了p型透明导电CuAlO2薄膜，找到了一种新的制备p型透明......
CuAlO2是一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族间接禁带半导体,在可见光范围内透明,直接光学禁带宽度约为3.5eV,是最早发现的Cu基p型半导体。CuAlO2在光......
透明导电氧化物（TCO）的出现开拓了光电子器件研究的新领域。但p型TCO的相对匮乏严重制约了透明氧化物半导体（TOS）相关器件的开发与应用......
