GAAS单晶相关论文
本文简要对比了几种GaAs体单晶材料生长工艺的优劣,详细介绍了VB工艺生长过程及其关键技术,介绍了目前国内的VB—GaAs单晶研究水平......
对低温分子束外延生长的GaAs单晶进行了理论分析和实验研究,结果表明,低温分子束外延生长的GaAs单晶中含有密度大约为10~(20)cm~(-......
GAS-438搭载桶是搭载美国航天飞机的空间晶体生长实验设备,它用较为先进的"功率移动"区熔法生长GaAs单晶.该论文介绍了其控制系统......
学位
利用低能双离子束外延技术 ,在 4 0 0℃条件下生长样品 (Ga,Mn,As) / Ga As.样品光致发光谱出现三个峰 ,即1.5 0 4 2 e V处的 Ga A......
利用高分辨电子显微镜观察了（１００）ＧａＡｓ单晶 Ｖｉｃｋｅｒｓ压痕诱发的形变行为结果表明，这种材料在 Ｖｉｃｋｅｒｓ硬度计载荷的作用下产生许多李晶和堆垛层错，导致发生晶格......
利用透射电子显微镜对压痕诱发GaAs中的塑性变形结构进行了研究。结果表明，压痕周围产生了由长臂位错和短臂位错组成的非均匀分布的......
利用低载荷Vickers压痕的方法在GaAs单晶中诱发微裂纹,通过透射电子显微镜和高分辨电子显微镜对裂纹尖端进行了观察结果表明,裂纹......
坩埚锥角是诱发VGF法GaAs单晶出现孪晶与多晶的重要因素之一,应用数值模拟的方法对其进行了研究与探讨,研究发现,在晶体生长的放肩......
