GaN基材料相关论文
GaN基半导体材料的禁带宽度覆盖了整个可见光波段,且其具有优良的物理化学特性,其因而被广泛应用于光电子器件、电力电子器件及射......
采用157 nm波长准分子激光,对LED-GaN半导体薄膜进行了刻蚀试验研究。探讨了GaN基半导体材料的基本刻蚀特性和刻蚀机理。结果表明,......
GaN是一种宽禁带半导体材料,它具有高电子迁移率、高热导等优异的物理性质,近来受到人们的广泛关注。GaN基材料广泛地被用于蓝、绿......
摘 要：研究组分变化中InxGa1xN材料光学性能的变化.通过掺杂方式改变InxGa1xN材料In组分含量，获得计算模型.计算结果表明，随着In组分......
GaN材料是性能优越的化合物半导体,与其相关的合金材料可以制作出高亮度蓝光、绿光发光二极管、紫外探测器、半导体蓝色激光器(LD)......
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研究了测试频率为0.3～1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压（C-V）特性曲线中,出现了峰和负......
为了表征严重影响材料生长和器件性能均匀性的微米尺度的局域非均匀性，采用非接触、快捷的荧光光谱的测量方法，并经数据处理后直接得......
