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GaN基半导体材料的禁带宽度覆盖了整个可见光波段,且其具有优良的物理化学特性,其因而被广泛应用于光电子器件、电力电子器件及射......
研究了VLP/CVD低温硅外延生长技术.利用自制的VLP/CVD设备,在低温条件下,成功地研制出晶格结构完好的硅同质结外延材料.扩展电阻、......
采用热丝CVD法在单晶Si衬底上进行了Si和Ge薄膜的低温外延生长,用XRD和Raman谱对其结构性能进行了分析。结果表明：在衬底温度200℃......
本文对低温外延新技术——“快速辐射加热、超低压化学气相淀积”（RRH/VLP-CVD）生长的外延硅薄膜的电学性质进行了分析研究.扩展电阻......
介绍了一种利用离子束外延(Ion-beam Epitaxy, IBE)技术制备生长高纯稀土功能薄膜的新方法. 以纯度要求不高的低成本稀土氯化物为......
采用反应型热化学气相沉积系统在硅（100）衬底上外延生长富锗硅锗薄膜。四氟化锗作为锗源,乙硅烷作为还原性气体。通过设计表面反应,......
