Ge掺杂相关论文
有机/无机金属卤族钙钛矿以其优越的光学性能、超高的载流子迁移率、制备工艺简单已经成为了下一代LED的最佳选择。现如今红光和绿......
由于Nb3Al材料具有比Nb3Sn更高的超导转变温度（Tc）、上临界场(Hc2)、临界电流密度（Jc）,以及在高场下更良好的抗应变特性,是未来磁约束......
合理的掺杂是改善TiO2活性,使其光催化性能在可见光照射下发挥作用的最有效途径之一,本文利用基于密度泛函理论的第一原理全电势线......
采用浮区法(FZ)生长Ge掺杂β-Ga2O3晶体,利用XRD和Raman光谱研究了掺杂对晶体结构的影响。透射光谱测试表明,随着Ge离子掺杂浓度增......
光电催化分解水是光电化学领域的研究热点之一。光电化学分解水实验有效的将太阳光能转化为氢能,为全球面临的能源危机和环境污染......
Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)薄膜太阳能电池与其他类型的太阳能电池比较,拥有诸多的优点而受到了广泛地关注和研究,如吸光系数高,合适......
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,具有宽带隙、低介电常数、高热导率、高临界击穿电场、高载流子饱和浓度等特点,在半导体光电照......
基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对Ge掺杂(GexSi1-xC)的6H-Si C电学、光学特性进行了理论计算和分析。杂质形成......
采用物理气相传输法（PVT）制备了2英寸Ge掺杂和非掺Si C晶体,并使用二次离子质谱仪（SIMS）、显微拉曼光谱（Raman spectra）仪、体式显微镜、......
以正硅酸乙酯（TEOS）和乙氧基锗（Ge（OC2Hs）n）为前驱体通过溶胶一凝胶法制备Ge掺杂的二氧化硅溶胶，采用浸溃提拉法在γ-Al2O3／α—Al2O3多孔......
