栅介质层相关论文
在过去的六十年间,硅基半导体互补场效应（CMOS）场效应晶体管沿着摩尔定律,朝着器件尺寸不断微缩、晶体管密度不断增加的方向快速发展......
近年来,由于金属氧化物半导体薄膜晶体管具有制备温度低、稳定性好、兼容柔性衬底、迁移率高和成本低等优势,其显示出巨大的应用前......
该文介绍了扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)以及它们附带的X射线能量分散谱仪(EDS)的基本原理.介绍了SEM与TEM的集成电......
在WKB近似的理论框架下,提出了一个MOS器件中栅介质层直接隧穿电流的模型.在这个模型中,空穴量子化采用了一种改进的单带有效质量......
采用干涉方法研究FN振荡电流 ,得到一个精确而且简单的测量栅介质层的厚度及隧穿电子在栅介质层导带中的有效质量的表达式 .通过和......
介绍了近两年新报道的有机半导体材料,列举了其场效应性能参数;综述了有机场效应晶体管(OFET)在器件结构上的改进,重点阐述了基于......
<正>EEACC:2500目前,在衬底上形成石墨烯的主要方法有:(1)石墨晶体表面剥离/转移方法。采用胶带从石墨晶体表面剥离一层石墨烯并转......
2007年11月16日，英特尔发布一系列新处理器产品，其中包括用于双路服务器的Xeon系列处理器和用于高端PC的处理器。它们均采用了目前最......
传统的硅基半导体技术正临近发展极限，信息产业即将面对重要历史转折点，这也是中国信息产业界前所未有的机遇。伴随着可移动智能设备......
常规MOS工艺流程是先场氧后栅氧化。在场氧化过程中会产生许多影响其后栅氧化质量的因素，使栅氧化层质量难于提高。本研究从根本上......
