图形化衬底相关论文
近年来量子点材料因具有独特的光电子性质而受到了广泛的关注和研究,In Ga As量子点更是因其优良的光学性能而被应用于半导体激光......
近几十年来,有机场效应晶体管（OFET）因其成本低、质量轻、可溶液加工等特点受到人们的广泛关注。目前,OFET已经用于低功耗驱动电路、......
通过预先制备的图形化衬底和液滴外延法的结合,利用固体源分子束外延在条纹构图的GaAs (100)衬底上生长InAs纳米结构.发现InAs量子......
本文研究了用于3C-SiC薄膜选择性生长的Si基图形化衬底上不同厚度SiO2掩膜层的稳定性与温度的关系.通过在Si(100)衬底上干氧氧化制......
蓝宝石图形化衬底可以降低GaN外延的穿透位错密度并同时提高GaN基LED光提取效率,因此受到了广泛关注.目前市场上大多数图形化蓝宝......
研究了3D层的生长温度对蓝宝石图形化衬底上生长GaN性能的影响。采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)，在2英寸蓝宝石图形化衬底上......
使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核......
将蜂窝增强结构引入薄膜砷化镓太阳电池制备工艺,进行了三结砷化镓太阳电池外延设计与生长工艺以及蜂窝结构增强型柔性衬底制备技......
半导体发光二极管(LED)是新型的发光体，电光效率高、体积小、寿命长、电压低、节能和环保，是下一代理想的照明器件。半导体发光二极......
本文的主要研究内容涉及图形化衬底对GaN基LED发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的GaN图形衬底。再......
目前,干法蚀刻是制备LED图形衬底普遍采用的的方法。针对等离子体处理对样品表面微观形貌的影响作用研究不深入的问题,本论文以Al2......
自20世纪60年代，第一支半导体发光二极管(LED)诞生以来，Ⅲ族氮化物半导体以其寿命长、节能、色彩丰富、安全及稳定等优点，成为新一代......
石墨烯是由碳原子Sp2杂化组成的单原子层二维蜂窝网状结构。自2004年第一次制备成功以来,石墨烯引起了科学家们极大的研究兴趣。由......
研究了不同衬底上MBE技术生长的InGaN的光学和结构特征。结果表明,在相同生长条件下,用图形化衬底生长的InGaN材料比用普通衬底生......
低维半导体材料近年来以其优越的性能受到研究者们的青睐,而量子点材料更是以其优越的光电性能吸引着研究者们的目光,自上世纪90年......
目前蓝宝石在LED市场中的应用范围变得越来越普遍,这归因于其较低的制造成本。尽管如此,GaN(氮化镓)薄膜和蓝宝石衬底之间较大的晶......
利用化学气相沉积法,在图形化蓝宝石衬底上,无需引入催化剂,通过改变反应源锡粉量生长出了不同尺寸、规则排列的有序微米半球形SnO......
利用有限元方法模拟了图形化Si衬底上外延Ge薄膜的热失配应变,研究了薄膜内部以及表面的应变分布情况,分析了应变与薄膜厚度、衬底......
蓝宝石衬底作为发光二极管最常用的衬底,经过不断发展,在克服其与GaN间晶格失配和热膨胀失配问题上,研究人员不断提出解决方案。近......
期刊
在图形化衬底上以AlN作为缓冲层生长高质量的GaN薄膜,国内相关的报道较少。通过引入两步缓冲层生长方法,在蓝宝石图形衬底上生长基......
<正>在这个跨年之际,也对led产业发展趋势做一下猜测,"未来的2013年LED产业将会变成什么样"显然要比已经发生的种种更令人感到兴味......
在制备器件时,有效的图形化刻蚀技术能够实现器件的更多功能,例如在制备高压Schottkv势垒二级管时,需要在SiC衬底上刻蚀台面来进行......
介绍了高温湿法刻蚀设备在LED芯片制造中图形化衬底制备工艺（PSS）及激光正切后侧边腐蚀工艺两方面的应用;论述了高温强酸刻蚀湿法设......
一维纳米线是构造纳米尺度器件的基本单元,III-V族半导体如InAs,GaAs纳米线具有高的发光效率和载流子迁移率,在纳米光电、电子以及......
