MEVVA离子源相关论文
采用金属蒸汽真空弧放电技术原理研制成功的MEVVA离子源,具有离子种类多,离子束流强,运行稳定可靠等一系列优点.本文将介绍装配有......
利用金属蒸发真空弧(MEVVA)离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO_2/Si薄膜,获得高浓度Er掺杂硅基发光薄膜。RBS分析表明,......
利用金属蒸气真空弧 ( MEVVA)离子源将金属 Fe,Co,Cr,Ti和 Nd离子注入无色人工合成蓝宝石。在一定的注入条件下和退火过程中 ,获得......
我国航空、航天轴承由于材料成分差异、加工工艺等原因，存在质量不稳定、使用寿命达不到设计要求的问题。采用离子注入的方法，可以大......
利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将金属离子 (Co+ ,Fe+ 和Nd+ )掺杂到无色人工合成蓝宝石中 .研究在不同元素的注入条件下和退火......
利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XP......
利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO2/Si薄膜中获得Er掺杂硅基发光薄膜.掺杂到热氧化SiO2/Si......
Neodymium silicides were synthesized by Nd ion implanted into Si substrates with the aid of a metal vaporvacuum arc (MEV......
Metal vapor vacuum arc (MEVVA) source ion implantation is a new technology used for achieving long range ion impantation......
采用ＭｅｔａｌＶａｐｏｒＶａｃｕｕｍＡｒｃ（ＭＥＶＶＡ）离子源的离子束合成法，往Ｓｉ衬底注入剂量为３．０×１０＾１７～１．６×１０＾１８ｃｍ＾－２的Ｃ＾＋制成ＳｉＣ埋层，Ｃ＾＋离子束的引出能量为５０ｋｅＶ，光电子能谱和红外吸收谱表明ＳｉＣ埋层的结构特征......
利用金属蒸气真空弧（MEVVA）离子源将金属Fe,Co,Cr,Ti和Nd离子注入无色人工合成蓝宝石，在一定的注入条件下和退火过程中，获得了不同颜色......
为了在TC4钛合金上获得抗冲蚀性能优良的膜层,利用金属蒸发真空多弧(Metal evaporation vacuum arc,MEVVA)离子源和阴极真空磁过滤......
利用金属蒸气真空弧（MEVVA）离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2/Si薄膜中。卢瑟福背散射（RBS）和X-射线电子能谱仪（XPS）分析表明......
利用金属蒸发真空孤（ＭＥＶＶＡ）离子源将Ｓｉ和Ｅｒ离子双注入到不同厚度热氧化ＳｉＯ２／Ｓｉ薄膜，获得高浓度Ｅｒ掺杂硅基发光薄膜。ＲＢＳ分析表明，稀土元素Ｅｒ离子掺杂到热氧化ＳｉＯ２／Ｓｉ薄......
综述了ＭＥＶＶＡ离子源在金属硅化物，磁性薄膜，准晶材料和表面复合材料的制备以及电催化，抗腐蚀，抗高温氧化，抗疲劳和磷酸盐玻璃抗风化等研究领域......
为给上海电子束离子阱（Electron Beam Ion Traps，EBIT）装置提供低电荷离子，我们研制了小型金属蒸汽真空弧（Metal Vapor Vacuum Arc，MEVVA......
为发展金属离子束材料表面改性技术的工业应用，北师大低能核物理所研制成阴极真空弧离子源和离子注入装置．简要介绍该设备的结构、原......
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本文首次采用MEVVA离子源强束流离子注入的方法制备了高浓度掺Er单晶硅和纳米硅镶嵌热氧化硅薄膜,研究了两种薄膜的浓度分布、化学......
本文介绍的ＭＥＶＶＡ源采用电动推进式可更换单阴极弧放电机构和加减速三栅引出系统，耐压水平大于５０ｋＶ，平均束流大于５ｍＡ，束班约１５０，束的不均匀度小于±１２０％。束......
本文介绍的MEVVA源是一种产生金属离子种类多,束流强度大、离子种类纯度高、电荷剥离态高等优点的金属离子源。它可以产生从锂到铀......
通过分析MEVVA离子源的电气特性,提出离子注入机控制系统的特殊要求,在此基础上设计实现了基于PLC的控制系统。介绍了控制系统组成......
