SILAR法相关论文
采用液相薄膜制备工艺—SILAR(连续离子层吸附反应)法，于玻璃衬底上制备了CdS，ZnS，RuS2单组份薄膜及(Zn,Cd)S复合薄膜。考察了工艺参......
Bi2Se3和Sb2Se3以其材料本身所具有的特点，分别在光电子器件、热电冷凝装置和光信息存储等方面已显示出其优越性。本文采用SILAR法......
聚酰亚胺薄膜(Kapton)是一种重要的空间聚合物材料,但在低地轨道空间环境中会由于原子氧侵蚀而造成质损和各种性能的退化,因此其空......
本文利用SILAR法于玻璃基体和Kapton基体上制备了超薄TiO_2薄膜,研究了初期沉积过程机理,并分别通过原子氧刻蚀Kapton基体再使用SI......
0引言 铜铟硒(CIS)具有合适的带隙、高光吸收系数、适当的电荷密度和迁移率,是一种用于薄膜太阳能电池的备受关注的吸收材料[1].目......
硫化物薄膜在太阳能电池、光电导体，传感器等领域具有重要应用。本文通过探索一种低能耗且环保的方式-连续离子吸附与反应法，制备出......
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利用连续离子层吸附反应（SILAR）法在Ti O2纳米棒阵列表面沉积生长了Cu In S2和Cd S量子点,采用FESEM表征了复合纳米薄膜的结构和形貌......
铜铟硒（CIS）具有合适的带隙、高光吸收系数、适当的电荷密度和迁移率。是一种用于薄膜太阳能电池的备受关注的吸收材料。目前CuInSe2......
采用一种改进的液相成膜技术——连续离子层吸附与反应（SILAR）法，用锌氨络离子[Zn（NH3）4]^2＋溶液作为独立的前驱体溶液，以载玻片为衬底，在（1......
采用水热法在FTO导电玻璃基底表面制备了结构规整的TiO2纳米棒阵列,利用连续离子层吸附反应（SILAR）法在TiO2纳米棒阵列表面沉积生长......
介绍了一种新的液相法薄膜制备工艺-SILAR法(连续离子层吸附反应法),该方法设备简单,成本低廉,成膜质量好.解释了它的非均相薄膜生......
采用液相薄膜制备工艺-SILAR(连续离子层吸附反应)法,在室温下于玻璃衬底上制备了CdS薄膜.对薄膜的表面形貌,薄膜的生长速率以及热......
采用阳极氧化法在钛网基底上制备出TiO2纳米管阵列,利用连续离子层吸附法(SILAR)将半导体In2S3沉积到TiO2纳米管表面,制备In2S3/Ti......
半导体光催化材料在环境治理,能源转化等领域具有非常广阔的前景。卤氧化铋作为一种新型的半导体光催化材料,由于其独特优异的电学......
采用连续离子层吸附反应（SILAR）法，分别用含有Se^2-，Bi^3＋和Sb^3＋的离子溶液作为独立的阴、阳离子前驱溶液，以载玻片为衬底，在室温下沉积出......
期刊
以TiO2为光阳极,CuInSe2为无机敏化层的NPC太阳能电池造价低、易制造、大气稳定。本文采用连续离子层吸附反应（SILAR）法和电沉积法研......
高性能聚合物材料在电子器件柔性化与小型化及航空航天等高端领域有着巨大的应用前景和迫切需求,与此同时,还要提高其环境稳定性,......
本论文采用SILAR法,在硅基底上制备了CuS,ZnS和CuS-PAA-APS,ZnS-PDDA-PAA有机无机复合膜,利用Sol-gel法制备了纳米CuS- Fe2O3与CuS......
ZnS是一种II-VI族化合物直接带隙半导体材料,禁带宽度为3.6～3.8eV,具有良好的光电性能,广泛应用于光学和光电器件中,如薄膜电致发光......
采用SILAR（Successive Ionic Layer Absorption and Reaction）法，在硅基底上制备了CuS和CuS-PAA-APS有机无机复合膜。利用AFM、XRD、S......
