SdH振荡相关论文
Ⅳ-Ⅵ族碲化物是指由Ⅳ族的Ge、Sn、Pb元素与Ⅵ族的Te构成的化合物,它们属于窄带隙半导体;Ⅱ-Ⅵ族碲化物则是指由Ⅱ族的Zn、Cd、Hg......
在低温(1.5K-25K)和强磁场(0-10T)条件下,对二维电子气占据两个子带的Si调制掺杂A1GaN/GaN异质结构进行磁输运测量.在一定温度范围......
研究了双子带占据的In_(0·52)Al_(0·48)As/In_(0·53)Ga_(0·47)As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应和霍耳效......
在掺Si的GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)结构中,得到μ2K=1·78×106cm2/(V·s)的高迁移率.在低温(2K)和高磁场(6T)的条件下,对样品......
在低温(1.5K-25K)和强磁场(0-10T)条件下,对二维电子气占据两个子带的Si调制掺杂A1GaN/GaN异质结构进行磁输运测量.在一定温度范围......
研究了Si重δ掺杂In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As单量子阱内高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应.研究表明,强......
研究了基于InP基的In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubnikov-deHaas(SdH)振荡效应和霍耳效......
近十年来,狄拉克材料由于其在低能激发态中所具有的无质量Dirac电子而吸引了人们广泛的关注。在这类材料中人们观察到了许多新奇的......
材料体系的拓扑量子态是当前凝聚态物理研究的热点,本论文工作主要研究了拓扑半金属材料NbIr Te4的量子振荡行为和过渡金属硫化物M......
由于AlGaN/GaN异质结材料在高频、高能电子器件中具有广阔的应用前景,所以近几十年来该材料受到了人们的广泛关注。理论上,通过提......
InGaAs/InAlAs半导体材料目前是制作高电子迁移率晶体管的首选材料之一,对于它的研究方兴未艾,在深低温、强磁场条件下的输运性质......
宽禁带半导体中,GaN具有禁带宽度大、热导率大、击穿场强高、电子饱和漂移速度高等特点,其在高温以及微波功率器件制造方面具有非......
