间接带隙Ｓｉ１ － ｘＧｅｘ 合金材料由于合金无序涨落而产生了无需声子参与的发光峰。自由激子局域化程度增加有利于无声子参与的带间复合发射，文......

采用从头计算(ab initio)的方法对Si和Si1-xGex合金半导体材料中CiCs 缺陷的性质进行探讨,同时也对比调查了CiOi 缺陷在Si和Si1-xG......

硅基上高质量的异质外延生长是实现高性能微电子器件的基础,本文通过低温分子束外延技术在Si衬底上实现了全组分的Si1-xGex(0<x≤1......

本文介绍了 Si1-xGex 基区异质结双极晶体管（HBT）的特点;Si1-xGex 合金层的生长方法;两种 Si1-xGex 基区 npn 器件的结构和特性以及......

采用从头计算（abinitio）的方法对比研究了Si1-xGex合金半导体材料中W缺陷、CiCs缺陷和CiOi缺陷的性质。在Si1-xGex合金中,Ge原子不能......