在高纯N2/Ar气氛中，利用反应直流磁控溅射方法在SiO2/Si基底上沉积了Ta-N、Cu/Ta/Ta-N及Cu/Ti/Ta-N薄膜，研究了不同制备工艺对Ta-N薄......

采用C2H2和N2作为反应气体、多晶Si作为靶材,利用射频磁控溅射系统沉积了SiCN薄膜。利用傅里叶红外光谱仪、X射线衍射仪、四探针测......

利用打底法和掺混法在烧结Nd-Fe-B磁体上制备出含有不同KH-550硅烷浓度偶联剂的环氧树脂涂层。分析了硅烷浓度对涂层与基体附着强......

采用磁控溅射法在Si（100）基板上沉积厚度为50nm的V、V-N和V/V-N扩散阻挡层,并在扩散阻挡层上制备了厚度为300nm的Cu薄膜,最终获得了C......