SiC晶片相关论文
研究了单面抛光中有蜡贴片工艺对抛光后4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC晶片总厚度变化(TTV)和翘曲度的影响.分别选择固体蜡和液体蜡进行......
期刊
SiC以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特点,成为制造高温、高频、大功率、抗辐照及光电集成器件的......
随着光电子微电子技术的发展和应用，第三代半导体材料SiC成为该领域研究和关注的焦点，SiC优异的物理化学性能使之广泛应用于新一代电......
研究了以氮化铝(AlN)为助烧剂的碳化硅晶片(SiC_(pl))增韧二硼化锆(ZrB_2)复合陶瓷材料的制备工艺,并测定其抗弯强度、断裂韧性、......
SiC作为制造高温、高频、大功率光电集成器件的理想材料，具有高临界击穿强度、高电子迁移率、高导热率等多个特点。SiC晶片的表面光......
文章分析了SiC硬脆材料加工方法,建立了金刚石多线切割SiC晶体的材料去除率模型,并基于Matlab计算已知条件下的材料去除率随时间变......
SiC单晶材料作为第三代半导体衬底材料,在制作高频、大功率电子器件等领域有着广泛的应用前景,而SiC加工技术对制作衬底材料起到决......
介绍了碳化硅晶片双面研磨过程中研磨液悬浮性对晶片去除速率的影响;通过在研磨液中加入不同质量百分比的悬浮剂进行碳化硅双面研......
SiC晶片研磨加工表面层损伤深度直接影响后续抛光加工的成本和效率,但SiC单晶是典型的难加工材料,亚表面损伤检测极为困难。文中利......
本文对采用截面显微检测法检测SiC晶片亚表面损伤时样品的制备、腐蚀液配方及腐蚀环境进行了系统地研究,并重点分析了固结磨料研磨......
随着光电子微电子技术的发展和应用,第三代半导体材料SiC成为该领域研究和关注的焦点,SiC优异的物理化学性能使之广泛应用于新一代......
随着SiC晶体生长技术的提高,SiC晶片尺寸也在逐渐增大,具有高效率、高精度、低损伤的新型研磨、抛光工艺正受到人们越来越多的重视......
