Te沉淀相相关论文
生长态的CdZnTe晶体内常常存在各种缺陷,包括点缺陷、位错、Te沉淀相和Zn的成分不均匀等。缺陷的大量存在使晶片不能满足作HgCdTe......
本文分析了碲镉汞 (HgCdTe或MCT)中Te沉淀相、Hg空位的拉曼散射峰 ,以及碲镉汞表面完整性与它的二级拉曼散射峰的关系。MCT中的Te......
采用红外显微镜、X射线双晶回摆衍射法、X射线貌相术对CdZnTe衬底中的沉淀相、亚结构、组分偏析等缺陷进行了研究,并对用此衬底液......
本文分析了碲镉汞(HgCdTe或MCT)中Te沉淀相、Hg空位的拉曼散射峰,以及碲镉汞表面完整性与它的二级拉曼散射峰的关系.MCT中的Te沉淀......
运用缺陷化学原理近似计算了Cd0.9Mn0.1Te晶体的点缺陷浓度,得到了晶体成分与理想化学计量比偏离最小时的退火条件。利用该退火条......
三元化合物半导体Cd1-xZnxTe（简称CdZnTe或CZT）晶体因其优异的光电性能,被认为是最有前景的室温核辐射探测器材料,在能谱测量和成像......
