深能级缺陷相关论文
缺陷工程对半导体光伏器件至关重要,全面深入地理解缺陷形机理并合理调控缺陷有利于实现高效的太阳能源转化。准一维（Q1D）结构的锑基......
CdMnTe（碲锰镉）材料作为新一代的半导体材料，在核辐射探测领域具有很高的应用价值。本实验采用Te溶液垂直布里奇曼法生长Cd0.9Mn0.1Te......
第三代宽禁带半导体碳化硅（Si C）功率器件在航天、航空和核工业等强辐射领域的极端环境下应用时会受到辐照损伤的影响诱生缺陷，最终导......
白光发光二极管（White LED）由于使用寿命长、响应速度快、发光性能稳定,诞生以来就被认为是有发展前景的固态照明新方案。目前,白光......
当今社会是一个高速发展的信息化的社会。伴随着网络以及各种电子产品的快速发展,越来越多的人渴望新材料出现来改善目前单一材料......
学位
对掺有镉、硒、硫的玻璃在 5 0 0— 80 0℃退火 2— 2 4h ,生长了不同尺寸的CdSxSe1 x纳米晶体 .用分光光度计和光致发光光谱 (PL......
利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了常规分子束外延和原子氢辅助分子束外延生长的掺杂Si和Be的GaAs同质结构样品中缺陷的电学特性.发现......
硅基波导型光电探测器作为一类重要的光电探测器,由于其能与标准的CMOS工艺兼容以及制备工艺简单等性能,因而在光电子单片集成方面......
利用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs/AlAs异质结晶体品质的影响.发现Si夹层的引入并没有引起明显......
选用35 MeV Si离子,针对NPN及PNP型双极晶体管(BJT)进行辐照实验,探究重离子辐照条件下双极晶体管辐射损伤及缺陷在不同发射结偏置......
热激电流谱测试技术（TSC）是宽禁带半导体深能级缺陷非常有效的测试方法,能够精准获得缺陷类型,深度（E_（a,i））,浓度（N_i）以及俘获截面（σ_i）等......
在宽范围偏置条件下，测量了光电耦合器件的g—r(产生-复合)噪声．实验结果表明，随着偏置电流的增加，g-r噪声逐渐向高频移动，其噪声幅值呈......
使用脉冲激光淀积（PLD）技术在n型Si衬底上沉积氧化锌（ZnO）薄膜,在O2气氛下对样品进行了500℃（Sample1,S1）,600℃（Sample2,S2）,700℃（Sample3......
CdZnTe晶体内的空间电荷积累效应是影响高通量脉冲型探测器性能的关键因素.为了探索CdZnTe晶体中深能级缺陷对空间电荷分布及器件......
ZnO作为第三代的宽禁带半导体材料，因其在室温下约3.37eV的禁带宽度和高达60meV的激子结合能受到了广泛关注，被认为是有望取代GaN的......
化合物半导体碲锌镉(CdZnTe)晶体被认为是最具潜力的室温半导体核辐射探测器材料。然而由于生长过程以及后续器件制备过程的复杂性......
在不同的化学配比条件下制备了半绝缘磷化铟材料,其中包括配比和富铟熔体中的铁掺杂以及磷气氛和磷化铁气氛下高温退火非掺杂晶片.......
化合物半导体碲锌镉（CdZnTe，CZT）具有非常优异的光电性能，被认为是最有前途的室温核辐射探测器材料。生长态CZT晶体中不可避免的存在着......
用深能级瞬态谱(DLTS)研究了高温退火处理后磷化铟中的深能级缺陷.在退火前以及纯磷和磷化铁气氛下,退火后低阻磷化铟中的深能级缺......
随着In组分的增加,延展波长InxGa1-xAs/InP红外探测器的截止波长从1 u m延伸至3μm,在红外夜视,大气探测,地球观测等方面有着广泛......
三元化合物半导体Cd1-xZnxTe（简称CdZnTe或CZT）晶体因其优异的光电性能,被认为是最有前景的室温核辐射探测器材料,在能谱测量和成像......
本文以双极晶体管为研究对象，通过辐照源特点及模拟计算分析，选取电子、质子、Co-60射线及重离子作为辐照源，研究了双极晶体管电离效......
在本文中,我们先对前此提出的n型砷化镓的一个结构缺陷模型作一扼要的叙述,然后将模型指出的二个深受主能级,与文献报道的一些实验......
介绍了电子和 γ 射线的辐照损伤效应,并在实验中研究了损伤缺陷。在此基础上进行了抗核加固机理和加固技术研究。
The radiation......
