移动加热器法相关论文
ZnSe晶体是最重要的宽禁带Ⅱ-Ⅵ化合物半导体光电材料之一,在中远红外激光、高能辐射探测、蓝光LED、光通讯等领域有广阔的应用潜......
移动加热器法生长碲锌镉晶体时，界面稳定性对晶体生长的质量有很大影响。本文基于多物理场有限元仿真软件Comsol建立了移动加热器法......
GaInSb作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,由于其电子迁移率高、带隙窄等优点,可广泛应用于探测器、激光器、光电通讯、集成电路......
碲锌镉（Cadmium Zinc Telluride，Cd1-xZnxTe）晶体以其优异的光电特性，引起了越来越多的研究者的重视，其中Cd0.96Zn0.04Te晶体常被用于制......
研究了移动加热器法生长CdMnTe晶体的生长界面。采用传统摇摆炉和垂直Bridgman炉合成多晶原料,并比较了不同多晶原料对移动加热器......
介绍了移动加热器法晶体生长的基本原理及其优缺点，报道了国内外最新研究进展，讨论了不同工艺参数，如磁场、加速坩埚旋转、重力、生长......
采用移动加热器法生长铟惨杂浓度为5×10^17atoms/cm3的Cd0.9Mn0.1Te（CMT）和Cd0.9Zn0.1Te（CZT）单晶。生长得到的CMT晶体和CZT晶体......
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碲锌镉(CdZnTe,CZT)晶体被认为是目前最有前途的室温半导体探测器材料之一,基于该晶体的探测器件具有能量分辨率高、体积小、便携......
采用垂直布里奇曼法（VB）生长CdMnTe晶体，由于生长温度高、堆垛层错能低、热应力大等因素，晶体中存在大量孪晶、杂质、夹杂相等，限制其在......
锑铟镓作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,因其晶格参数和能隙宽度可以通过In组分来调节,可广泛应用于探测器、激光器、光电通讯、卫......
三元化合物半导体Cd1-xZnxTe（简称CdZnTe或CZT）晶体因其优异的光电性能,被认为是最有前景的室温核辐射探测器材料,在能谱测量和成像......
采用移动加热器法,成功生长出尺寸为φ55 mm×70 mm的CdZnTe晶体。采用电子探针、光致发光谱等方法,测试了晶体径向的成分和缺陷分......
移动加热器法被认为是一种切实可行的生长大尺寸、高质量单晶体的方法,它结合了液相外延和区熔提纯的优点.本文阐述了移动加热器法......
