针对浅结器件欧姆接触退化问题，利用３ＤＧ４４、３ＤＧ８６微波管进行研究分析，发现其ＥＢ结失效非常严重，并且结越浅对高温工艺越敏感，经ＳＥＭ显微分析表明，失效机理......

采用物理气相沉积方法在聚酰亚胺基板上沉积Cu薄膜,利用TiN阻挡Cu元素向聚酰亚胺基板内部扩散.研究了在60Co-(射线辐照条件下,TiN......

本文描述了一种具有台阶电极结构和ＴｉＮ扩散阻挡层的高可靠微波硅功率晶体管，将这种用于高频大功率器件的结构与传统的平面结构进行了比......

在双极型微波器件３ＤＧ４４、３ＤＧ８６上采用了新型金属化Ａｌ／ＴｉＮ／Ｔｉ系统．研究了多种热电应力下ＴｉＮ的阻挡特性，结果显示采用ＴｉＮ层的器件抗热电迁徙能力显著提高，加速寿命......