微波晶体管相关论文
随着微波通信的急速发展，微波电路在通信、电子等各个通信产业应用极其广泛，但随着器件工作频率和功率的增大，系统常处于非线性的状态......
本文简要评述砷乳胶源的应用技术,讨论了控制表面损伤及获得浅结高浓度砷的某些重要因素,介绍该技术在高频功率器件上应用的实例.
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随着微波通信技术的长期发展,它将从功能上在传统的计算设备和常规的射频及微波通信仿真器中得到设计和仿真(如SPICE、Agilent ADS......
首先论述了Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波大功率领域的应用优势和潜力;其次,介绍并分析了影响Al GaN/GaN HEMT性能的......
利用 Z参数噪声网络等效电路的分析方法 ,得到了用器件 Z参数表示的微波双极晶体管噪声参数的表达式 ,通过对微波低噪声双极晶体管......
随着微波通信技术的长期发展,它将从功能上在传统的计算设备和常规的射频及微波通信仿真器中得到设计和仿真(如SPICE、Agilent ADS......
本文给出对ＲＣ串联型，并产型负载的不等波纹函数型阻抗匹配网络的综合方法，以ＨＦＥＴ－１０００Ａ管芯为例，用不等波纹函数型综合与补偿方法得到所６－１２ＧＨｚ的输入输出......
文章描述了一种可应用于软件无线电接收机的射频(RF)前端,频率范围在800 MHz到2GHz,特征频率为9GHz的宽带低噪声放大器(LNA)的设计......
介绍了ＳＴＳ－ＬＮＰ型微波晶体管前置放大器的电路结构与功能，详细阐述了该放大器在获得低噪声系数、低电压驻波比、平坦的增益特性、较好的工作......
本文讨论了一种设计微波 YIG(钇铁柘榴石)调谐的晶体管振荡器放大器的方法。使用经典的晶体管集总元件模型表明:在预示晶体管参数......
本文以L波段信号源为例，介绍了微波器件和放大器射频老化时常用的微波脉冲信号源的设计与制做，并获得了实用结果。......
在1972年国际电子器件会议上,日本富士通公司发表了一种新的半导体制造技术——掺杂多晶硅工艺,该工艺可应用于超高速集成电路和......
本文在 HP8409微波网络分析仪上完成了微波晶体管的自动测试。针对缺少微带标准件的情况,研究分析空气微带延时线,从理论上证明了......
一九八八年四月十八日至十九日航天部科研生产司和电子部科技司在石家庄就航天部二院二○三所和电子部54所共同进行的“微波晶体......
简述了微波晶体管S参数自动测试的必要性和迫切性。重点阐述了提高测试精确度的原理,以及实现自动测试的几个关键问题和程序流程图......
微波晶体管是无线通信、雷达等电子系统中的关键部分。由于其高频特性以及一般非50Ω特性阻抗,准确评估其性能有较大的难度。晶体......
<正> 硅器件和集成电路工艺中,一直广泛应用铝实现低阻的欧姆接触和内部互连。长期的生产和使用实践,证明铝单层金属化系统是成功......
随着微波固态器件的不断发展,固态发射机的高可靠性、宽频带、低工作电压、故障概率小、全寿命周期成本低等突出的优点,引发了雷达......
<正> 一般说来,晶体管的封装要解决两个问题。一个是把管芯的电极和电路连接起来,一个是给管芯提供适宜的工作环境,以防止机械的、......
本报告给出估价微波功率晶体管封装对其可靠性影响的研究结果。研究着重给出封装对器件可靠性的影响而不是封装本身的可靠性。这篇......
<正> 微波功率晶体管在最近几年来已迅速地发展到开始大量地应用于固体雷达和通信系统中。但在这些应用中没有对这些晶体管的可靠......
本文主要对高频器件多晶硅发射极工艺进行了研究,对其制作工艺、主要工艺参数进行了研究和优化,并通过优化结果,成功地开发出一套......
大功率低损耗PIN微波开关的研制成功,对航天和电子对抗技术应用具有重要价值。为推动该技术应用,本文叙述了一个既考虑分布参数又......
在超高速集成电路领域中硅双极技术占有重要的地位,这是因为双极器件比MOS器件具有更强的驱动能力,更大的跨导和更快的速度。近年......
叙述微波晶体管功率参数的意义及其测量的必要性、重要性，给出了输出功率和用率增益的测试原理框图、测试结果举例和误差分析。......
介绍了矢量网络分析仪测量微波晶体管S参数时的主要误差 ,给出了基于测试夹具校准件的制作方法和它的特性测量......
