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高性能亚100nm栅长氮氧叠层栅介质难熔W/Ti N金属栅电极CMOS器件(英文)
在国内首次将等效氧化层厚度为1·7nm的N/O叠层栅介质技术与W/Ti N金属栅电极技术结合起来,用于栅长为亚100nm的金属栅CMOS器件的......
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磁控溅射TiAlN和WTiN薄膜的制备与摩擦性能研究
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