radiation-hardened相关论文
由于施加高栅极工作电压,使得器件容易发生重离子辐射损伤效应,其中,重大的重离子辐射损伤效应是单粒子栅穿效应(SEGR)和单粒子烧......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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With the critical charge reduced to generate a single event effect(SEE) and high working frequency for a nanometer integ......
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为提高空间环境下电子设备的可靠性,提升抗辐射加固SOI（Silicon on Insulator）集成电路的设计效率,通过构建完整的建库流程,自主设计......
进行了一款辐射加固SRAM基VS1000 FPGA的设计与验证.该芯片包含196个逻辑模块、56个IO模块、若干布线通道模块及编程电路模块等.每......
提出了两个抗单粒子翻转（SEU）的锁存器电路SEUT—A和SEUT—B。SEU的免疫性是通过将数据存放在不同的节点以及电路的恢复机制达到的。......
本文设计了一种不需闪烁体或增感屏，直接对X射线进行探测成像的线阵图像传感器，对其电荷收集进行了理论分析，设计了辐射加固的光敏元......
Based on the silicon-on-insulator(SOI) technology and radiation-hardened silicon gate(RSG) process, a radiation-hardened......
