氧化物电荷相关论文
由于HfO2材料具有较高的介电常数、较低的泄漏电流,以及与Si材料较好的热匹配性,成为电子器件理想的栅氧介质材料,被广泛应用于航......
作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层，成功地制备了SiO2膜．由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数，随氧等离子体处理时间的不同在1065～1088......
通过对国产加固N型MOS电容进行衬底热电子高场注入(SHE)及γ总剂量辐照实验，特别是进行总剂量辐射损伤后的热载流子损伤叠加实验，从......
本文研究了注氟(F)与未注F两种不同工艺CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特性及变化规律.结果显示:在MOSFET的栅场介质中适量注入......
介绍了在干氧和氢氧合成两种不同工艺和不同栅氧层厚度情况下,CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律.并通过对其单管特性及内部单......
介绍了不同版图结构制作的CMOS运放电路的电离辐照实验结果,分析比较了在常规版图及采用了保护环措施后制作的运放电路辐照响应之......
基于60Coγ射线辐照后的商用电荷耦合器件（CCD）,对室温退火和100℃高温退火实验进行研究。考察了CCD的功耗电流、输出信号电压波形及......
对比了目前常用的三种用54HC电路制作工艺制作的MOS电容的总剂量辐射实验结果,并从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的......
对含 F MOS结构的抗电离辐射特性和机理进行了系统研究。其结果表明 :F减少工艺过程引入栅介质的 E’中心缺陷和补偿 Si/ Si O2 界......
本文详细地综述了自然空间环境中总剂量电离辐照引起的MOS器件性能衰降;MOS介质经受电离辐射期间产生的界面和氧化物电荷使得大量......
本文以60Co-γ源作为辐照源,选用栅控横向PNP型(GLPNP)晶体管为研究对象,在100rad/s、10mrad/s和变换剂量率下分别进行了辐照试验,......
为研究抗热载于损伤的加固技术，对国产Ｎ型ＭＯＳ电容进行了Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ衬底热电子高场注入（ＳＨＥ），并利用高频Ｃ－ＶＲ准静态Ｃ－Ｖ分析技术，从微观氧化物电荷、界面态的感生变......
