介质厚度相关论文
针对不同浓度下介质厚度改变对后向散射光偏振特性影响的问题, 以典型蒙特卡罗偏振模型为基础,提出了一种基于后向散射的可变介质......
以扩散近似理论为基础，考虑输入超短激光脉冲之后，研究了介质厚度ｄ，吸收系数μａ，散射系数μｓ及各向异性系数ｇ分别对脉冲透射的定量影响。
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光子在大气中传输时,会与介质相互作用,发生后向散射。在后向散射的过程中,后向散射光会含有特定的偏振信息。后向散射光的偏振信......
对正负折射率材料构成的一维光子晶体,在横向圆形受限的条件下,推出了光波在其中传播时模式所满足的条件,并利用特征矩阵法研究了......
该文主要对苯和苯乙烯的介质阻挡放电(DBD)降解的一些影响因素进行了实验室研究.研究结果表明,介质阻挡放电对去除苯乙烯有较好的......
用传输矩阵法计算了两端对称缺陷复合光子晶体的传输特性。计算结果表明：两端对称缺陷复合光子晶体[D（AB）mD]2结构中的禁带出现两个完......
为了考察影响光量子阱束缚态的因素，采用传输矩阵法计算了不同介电常数和介质厚度对光量子阱结构的传输特性，发现光量子阱结构的束缚......
用传输矩阵法计算了不同介质厚度对光量子阱结构的传输特性。计算结果表明：光子的束缚效应将导致波长的量子化。通过微小地改变阱区......
应用铌酸锂(LiNbO)晶体的普克尔(Pockels)效应可以测量电压.本文阐述了测量电压的原理,探讨了介质的厚度与测量电压线性范围的关系......
采用氧化硅制造晶体管栅介质已有40余年，随着氧化硅被加工得越来越薄，晶体管性能也稳步提高。然而，从90hm到65nm，再到45nm，氧化硅栅介质......
集成电路的快速发展得益于其电路基本单元——场效应管MOSFET电学性能的不断提升。MOSFET器件的关键性能指标是驱动电流Id,驱动电......
目前部分客户在PCB线路设计是会自带一个阻抗测试模,而大部分PCB生产商会有一套标准的阻抗测试模。近期我公司有款阻抗板厂内的标......
为了解介质阻挡放电（DBD）在不同激励电压峰值VP-P和介质厚度ld下的放电特性,通过建立介质阻挡放电试验系统,采用Q-V Lissajous图形法......
爱普生LQ-790K专业证卡打印机在打印速度上有着充足的保障,可实现中文248汉字/秒,英文440字符/秒打印,可有效提高打印工作效率,轻......
证卡打印,对打印设备最主要的要求就是它的介质处理能力,如果介质处理能力差,不能很好适应较厚证件的打印,就会影响到日常工作的推......
采用三维电磁软件给出了8mm输入、输出窗的设计.其中输入窗采用矩形窗,频率为34～36GHz,驻波比小于1.08.输出窗频率为34.4～35.4GHz,驻......
通过对高传输性电子基板特性阻抗概念的引入，提出影响电子基板特性阻抗的主要因素。重点围绕在实际生产中如何控制这些因素，从铜箔厚......
文章概述了CCL中介质层性能对高频化和高速数字化信号传输带来的影响。CCL的介质性能主要是指介电常数、介电损耗和介质厚度。......
