低剂量率辐射损伤增强效应相关论文
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管（SiGe HBT）具有良好的温度特性，可承受-180～+200℃的极端温度，在空间极端环境领域具有诱人的应用......
工作在空间辐射环境下的双极器件和集成电路,受电离辐射特别是低剂量率电离辐射后,其电性能严重退化,极大的限制了空天电子系统的......
文章对一种具有低剂量率辐射损伤增强效应的国产双极晶体管进行了不同剂量率、不同温度下的电离辐照试验.结果表明,室温辐照条件下......
选用了三种型号的PNP输入双极运算放大器,在正偏和零偏状态下进行了辐照实验,由此对高剂量率辐照后高温退火加速评估方法进行了探......
研究了国产互补双极工艺生产的数模转换器（D／A转换器）在不同偏置和不同剂量率条件下的电离辐射效应及退火特性。研究结果表明：D／A转换器......
文章研究了双极晶体管不同温度的低剂量率辐射损伤增强效应,发现NPN晶体管与PNP晶体管的低剂量率辐射损伤机制是不相同的.最后文章......
为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照......
文章对一种具有低剂量率辐射损伤增强效应的国产双极晶体管进行了不同剂量率、不同温度下的电离辐照试验.结果表明,室温辐照条件下......
低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)的发现引起了国际航天领域的关注。本文介绍了双极器件的辐照响应,综述了自1991年发现双极器件具......
本文以60Co为辐照源,针对3DG111型晶体管,利用半导体参数分析仪和深能级缺陷瞬态谱仪,研究高/低剂量率和有/无氢气浸泡条件下,电性......
为了对比研究不同厂家不同SiGe HBTs器件的总剂量辐射损伤效应以及在不同偏置不同剂量率条件下SiGe HBTs器件的辐射响应规律和潜在......
