低压CMOS相关论文
设计了一种电源输入模块,可承受高达两倍单管工艺极限电压的供电电压.该模块使用共源共栅结构和偏置跟踪技术,基于0.35μm、5V的低......
详述了目前用于亚微米ＣＭＯＳＩＣ的静电放电保护方法，比较了它们各自的特点，并详细阐述了栅耦合ＰＭＯＳ触发／ＮＭＯＳ触发横向可控硅ＥＳＤ保护电路的工作原理。......
设计了一种电源输入模块，可承受高达两倍单管工艺极限电压的供电电压。该模块使用共源共栅结构和偏置跟踪技术，基于0．35μm、5V的低压......
本文提出了一种低压工作的轨到轨输入／输出缓冲级放大器。利用电阻产生的输入共模电平移动，该放大器可以在低于传统轨到轨输入级所限......
