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以GaN为代表的III族氮化物宽禁带半导体以其高电子饱和漂移速率、高击穿电场、高导热性等优势性能,成为制备新一代电力电子器件的......
有机电致发光器件（Organic light-emitting diodes）因具有轻薄、柔性、自发光、视角宽、色域广、功耗低、对比度高、无蓝光危害等优......
GaN材料由于具有大的禁带宽度、高的击穿场强、以及异质结材料结构中存在的由较强自发极化和压电极化效应而产生的高面密度和高迁......
基于AlGaN/GaN异质结构的肖特基二极管拥有开关速度快、耐高压、耐高温以及抗辐射等优势,能够满足高效微波无线电能传输等高频大功......
学位
近年来,AlGaN/GaN肖特基二极管具备开关速度快、击穿场强高、热性能好等优点,在电源开关领域具有重要应用价值,然而AlGaN/GaN SBD......
