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氧化镓（Ga2O3）具有带隙大（约4.8 eV）、高击穿场强（约8 MV/cm）的优点,同时Ga2O3相对于碳化硅（Si C）和氮化镓（Ga N）具有更高的巴利加优值,使Ga2......
GaN材料由于具有大的禁带宽度、高的击穿场强、以及异质结材料结构中存在的由较强自发极化和压电极化效应而产生的高面密度和高迁......
电力电子器件,又称为功率半导体器件,是主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件,广泛应用于各种家用电器、工......
当前,微波/毫米波器件及其电路日益凸显出其在产业应用中的重要地位,已经成为微电子技术研究的热点。随着微电子技术的发展,对器件......
采用原子层淀积(ALD)方法,制备了Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT)。在栅压为-20V时......
