利用低压金属有机化学气相沉积技术, 开展InP/GaAs异质外延实验。由450 ℃生长的低温GaAs层与超薄低温InP层组成双异变缓冲层, 并......

利用退火技术 ,实现了在低温 Ga As外延层上 In As量子点的生长 .透射电镜 (TEM)研究表明 ,低温 Ga As外延层上生长的 In As量子点......

砷化镓（GaAs）金属—半导体场效应晶体管（MESFET）是一种重要的GaAs器件,广泛的应用于无线通讯、信息技术和相控阵雷达等众多领域。栅漏......