应变层超晶格相关论文
本文报道室温下ZnS-ZnSe应变层超晶格的纵声学声子折叠模的喇曼光谱测量,在10～90cm-1范围内得到三级双峰结构。......
本文首次报道室温下测量的分子束外延生长的ZnSe-ZnTe应变层超晶格的远红外反射谱.得到了ZnSe、ZnTe横光学声子摸.用长波长超晶格......
本文首次利用室温非共振喇曼后向散射测得具有7.3％晶格失配的ZnSe-ZnTe应变层超晶格限制在ZnSe层中的纵光学声子模。计算了限制效应......
利用低压金属有机化学气相沉积技术, 开展InP/GaAs异质外延实验。由450 ℃生长的低温GaAs层与超薄低温InP层组成双异变缓冲层, 并......
在16K至室温范围内测量了ZnSe-ZnS应变层超晶格的激子吸收谱.观测到对应于1E-1HH1E-1LH及1E-3HH跃迁的三个激子吸收峰.......
半导体超品格和量子阱结构形成了载流子的准二维体系,特别是正方向势阱压缩效应增强了电子-空穴间库仑相互作用,使得二维激子束缚......
本文介绍了量子阱超品格光电探测材料的现状及发展趋势。以InAs/GaInSb应变层超晶格和AlGaN/GaN超晶格为例,论述了超晶格的界面结......
用Ｌｕｔｔｉｎｇｅｒ－ｋｏｈｎ有效质量理论研究了「００１」「方向生长的（ＺｎＳｅ）ｎ／（ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的电子结构，并与前人的计算结果进行了比较。......
用Ｌｕｔｔｉｎｇ－Ｋｏｈｎ有效质量理论研究了［０，０，１］方向生长的（ＺｎＳｅ）ｎ／（ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的光吸收系数，并与前人实验结果比较和讨论。结果表明：光吸收系数与阱宽和垒宽有关。......
本文研究了（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎ应变层超晶格（ＳＬＳ）中存在Ｇｅ或Ｓｉ空位时的性质。用Ｒｃｃｕｒｓｉｏｎ［’］方法计算了空位近邻原子的局域态密度（ＬＤＯＳ）和分波态密度（ＰＤＯＳ），计算了超晶格晶胞的总态密度......
通过对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格机理的研究，算出了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格红外探测器的最佳结构参数，以对１．３μｍ红外光有最大的利用率。......
文章旨在介绍适应于长波红外焦平面阵列技术发展的红外探测器，由于篇幅的关系，本文着重评述ＩｎＡｓＳｂ应变层超晶格红外探测器和ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ多量子阱红外探......
基于Ⅱ型中波红外和长波红外InAs/GaSb应变层超晶格的光电二极管可以用于民用和军用领域的各个方面。目前,这些领域最常用的探测器......
采用分子束外延方法生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格，利用Ｘ射线双晶衍射，小角衍身宽角衍射方法测量了超晶格样品的实验衍射曲线，运用Ｘ射线运动学理论和......
用Ｌ－Ｋ有效质量理论研究方向生长的（ＺｎＳｅ）ｎ／ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的电子结构和光吸收系数。结果表明，光吸收系数与阱宽和垒厚有关。......
使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术，对外延生长ＧａＡｓ／ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析，用像模拟验证了成像位置与结构投影的对......
彩和原子集团展开和平均键能相结合的方法，研究了宽带隙高温半导体，合金型应变层异质界面C／BNxC2(1-x)、BN/NBxC2(1-x)和生长在BN/NBx......
分析了用分子束外延法生长在ＧａＡｓ（１００）衬底上的Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ应变层超晶格光学特性，对光致发光谱的温度地详细的研究，光致发光谱的峰位和线形温度效应的结果......
采用高分辨喇曼光谱仪测量了Ｓｉ／Ｓｉ_（１－ｘ）Ｇｅ_ｘ应变层超晶格中折叠纵向声学支（ＦＬＡ）声子的非弹性散射谱．通过改变激光波长得到了拆叠布里渊区边界附近ＦＬＡ声子......
期刊
用共振喇曼散射研究了CdTe/ZnTe应变层超晶格的多声子谱.实验结果表明,我们首次观察到了多达10级的ZnTeLO的多声子喇曼散射,和反映......
以Free-Standing条件生长的超晶格原胞为计算模型，运用LCAO-Recursion方法研究了（GaN）n／（AlN）n（001）应变层超晶格的电子结构．由计算结果分析......
ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ和Ｇｅ／Ｓｉ应变层超晶格是半导体超晶格中新发展起来的一种类型．本文简要地介绍了这类超晶格在生长和物理特性方面的一些基本问题，列举了它在......
介绍了InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面结合类型及其对材料界面结构和光电性能的影响,分析了在超晶格界面处的原子置换和扩散现......
在双量子阱近似下，用变分法计算了（ＺｎＳｅ）ｎ／（ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的激子结合能，为光致发光谱和光致发光振荡谱的分析提供了依据和参考数据。......
利用冻结势LMTO方法计算应变层超晶格(SLS)的电子结构,发现平均键能E_m主要由界面电荷转移效应决定,而E_m和价带顶能量E_m之差△E_......
采用有效质量理论６带模型，计算了应变层超晶格ＧａＮ－ＡｌＮ（００１）的电子结构，具体计算不同应变状态的价带子能带色散曲线、光吸收曲线。分析了应变状态以......
本文报导了用计算机控制的衍射仪测量的金属有机化学汽相学沉淀方法生长的Ⅱ－Ⅵ族应变层超晶格的Ｘ衍射曲线，观察到了超晶格结构的多级......
本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．８８的光致发光谱，分析了影响激子线型展宽的主要因素，定量表征了４．４Ｋ下合金涨落和阱厚涨落对线型......
本文分析了应变层超晶格晶体材料的结构特征，得到在平行于超晶格生长方向的内平面上，每个应变层的晶格常数都是相同的结论，并利用错配......
针对应以超晶格界面处晶格畸变的特征，提出用位错网络模型模拟界面处的畸变，根据弹性应用Ｖｏｌｔｅｒｒａ点方法，导出界面畸变在衬底区（Ｓｉ）中，所引起的弹性......
采用平均键能理论结合形变势方法对由ＡｌＳｂ，ＧａＳｂ和ＩｎＳｂ所构成的应变超晶格界面在任意应变状态下的价带偏移值进行了确定，并分析了阳离子浅ｄ轨道对价......
采用电容耦合法测量了Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格在不同温度下的光伏特性.在Ⅱ型能带排列的样品中观测到价带-导带子带和价带子......
电光/红外系统的能力正在不断地提升和改进.这一部分是由于高性能焦平面技术的发展的结果.美国雷神视觉系统公司目前正在利用各种......
迭加有样品阴影像的大角度会聚束电子衍射花样可以用来研究样品中局部应变。在本文中作者利用大角度会聚束电子衍射技术测量并模拟......
本文讨论了应变对越晶格（ＺｎＳｅ）＿ｎ／（ＺｎＳ）＿ｍ在Ｔ点带边结构的影响，计算了带偏移：并在双量子阱近似下，用有效质量近似方法计算了应变层超晶格（ＺｎＳｅ）＿ｎ／（ＺｎＳ）＿ｍ的亚带结构。......
本文由形变势理论研究了应变对超晶格（ＣｄＴｅ）ｎ／（ＺｎＴｅ）ｍГ点带边的影响计算了带偏移。在有效质量近似下，计算了对称的双量子阱中的亚带结构随阱宽与垒......
叙述了采用国产 MBE 装置,在 GaAs 或 InSb 衬底上生长 InSb,InAsSb薄膜材料一些基础研究工作。采用二步生长法在 GaAs 衬底上生长......
