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由于集成电路产业的迅速发展和电力电子功率系统对高效率的要求,以碳化硅（SiC）为典型代表的第三代半导体（宽禁带半导体）引起普遍重视。......
随着半导体产业的不断发展以及功率半导体需求不断增加,宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件能在高温、高压、高频以及复杂的辐照环境下......
结温测量是功率半导体器件热表征、可靠性研究、状态监测以及健康管理的重要基础,其中温敏电参数法响应快速且无需破坏封装,十分适......
长期以来,栅极老化一直是SiC MOSFET器件可靠性研究的关键,而偏置温度不稳定性则是栅极老化的重要现象.由于栅极老化的偏置温度不......
在现代CMOS技术中，纳米尺度pMOS器件的NBTI问题已经成为工业生产中影响电路性能的一个重要问题。当CMOS工艺技术进入到超深亚微米技......
纳米工艺下,老化效应与软差错共同引发的集成电路可靠性问题至关重要。该文分析偏置温度不稳定性(BTI),包括负偏置温度不稳定性(NB......
为了延长抗辐照静态随机存储器双向互锁存储单元（DICE）电路的使用时限,得到偏置温度不稳定性效应（BTI）老化效应对DICE单元性能的具体影......
在纳米工艺下,老化效应与软差错共同引发的集成电路可靠性问题至关重要,目前,考虑多个因素分析老化效应对软差错率影响的工作相对......
在现代CMOS技术中,纳米尺度pMOS器件的NBTI、SILC问题已经成为工业生产中影响电路性能的一个重要问题。当CMOS工艺技术进入到超深......
在当前的集成电路设计中,利用电源门控技术来降低静态功耗已成为一种趋势。随着特征尺寸的不断缩小,集成电路的可靠性问题越来越严......
