关态漏电流相关论文
OLED微显示像素驱动电路中,由于较小的存储电容和开关MOS管关态漏电流的影响,导致其存储电压和亮度不稳定。通过分析影响关态漏电......
对不同几何尺寸的8型栅NMOS,在受到总剂量辐射影响时其电参数特性的损伤或退化特性,以及与常规结构抗总剂量能力或参数损伤变化比......
针对多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件关态漏电流较大的问题, 采用源漏轻掺杂结构以降低关态时电荷的泄漏, 增加晶体管的开关电流比值......
随着半导体工艺技术的不断进步，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的特征尺寸也在不断的减小。当传统的SiO2栅介质层厚度减小到几......
