剂量增强相关论文
首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法.用该方法测量了CMOS器件X射线的相对剂量增强因子RDEF(Relative Dose Enhancement Fac......
基于60Co-γ射线和10 keV X射线辐射源,系统地研究了55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的电离总剂量效应,并特别关注其电学......
用蒙特卡罗（Monte Carlo）方法计算不同能量的X射线在金-硅（Au-Si）界面处产生的剂量增强系数（DEF）与金（Au）和硅（Si）厚度的关系。结果表明：Au和S......
用Monte-Carlo光子-电子耦合输运程序计算了真实半导体封装Kovar结构对不同能量X射线在硅中的剂量增强因子,并与内层不涂金的Kovar......
介绍了低能X射线和γ射线的辐照剂量及器件阈电压漂移的测试方法.讨论了不同偏置条件和辐照方向对器件效应的影响.结果表明,对镀金......
为了研究X射线入射方向对界面剂量增强的影响，通过建立一个典型的金／硅界面结构模型，采用MCNP蒙卡计算程序计算50keV能量X射线以不同......
用蒙特卡罗（MonteCarlo）方法计算Au—SiOz界面的剂量增强系数（DEF）随能量的变化关系及不同厚度的Au对Au—SiOz界面剂量增强系数的影响......
在器件的金属化层及封装等结构中,高原子序数材料在低能X射线的辐照下,会在相邻的低原子序数材料中产生剂量增强效应,从而使得器件......
为了实验精确测屡场效应管的X射线剂量增强系数，介绍了如何改进剂量增强系数实验测量的方法和实验测量装置，以及实验测量的详细过程......
当X射线入射不同材料组成的界面时,在低Z材料的一侧将产生剂量增强,介绍了剂量增强效应的基本原理,并采用MCNP5构建三维铅铝屏蔽盒......
用蒙特卡罗方法（MCNP）计算不同能量的X射线在Au-Si-Au界面处产生的剂量增强系数（DEF）与金（Au）和硅（Si）厚度的关系.结果表明,界面下的DEF随A......
研究探索半导体器件电路电离辐射损伤效应和机理，提高其抗辐射水平是近年国内外微电子学领域十分重视的课题之一。抗辐射电子学已逐......
用Monte Carlo方法计算了封装材料/金属化层-Si结构(Au/Au-Si、Au/Schottky-Si、Ko-var/Au-Si、Kovar/Schottky-Si、China/Au-Si、......
期刊
基于60Co-γ射线和10keV X射线辐射源,系统地研究了55nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的电离总剂量效应,并特别关注其电学特......
