剩余极化强度相关论文
制备不同厚度的Hf0.5Zr0.5O2（HZO）薄膜，并使用不同退火温度对其进行热处理.在最优热处理条件下，所制备薄膜的两倍剩余极化强度可达约40......
随着社会的发展，压电材料无铅化成为绿色、健康发展的必然要求。在众多的无铅压电材料中，铌酸钾钠(K1-xNaxNbO3，简写为KNN)压电陶瓷具......
柔性压电纳米发电机体型微小、弯折能力强、重复性好、成本低且制作工艺简单,目前已广泛应用于生物医疗、人工智能、健康监测和车......
以BaTiO3-BaZrO3-CaTiO3（BT-BZ-CT）为主晶相的介电陶瓷,具有较高的介电常数,良好的铁电和压电等电学性能。陶瓷试样的组分、稀土离子......
近二十年来,用铁电薄膜制备的存储器,由于具有非挥发、存取速度快、抗疲劳、抗辐射性强的优良性能而受到广泛研究.当前在铁电存储......
铁电薄膜因其具有独特的铁电性、压电性、介电性、热释电性以及非线性光学等性能,在现代微电子、微机电系统（MEMS）、信息存储等方面......
本文通过传统固相法制备了四元体系yPSN-0.3PNN-（0.7-y）PZT（y=0-0.02）压电陶瓷,通过对物相分析、微观结构的观察和压电介电性能的分析,......
学位
由于在非挥发性存储器中具有良好的应用前景,近年来,铁电材料一直是研究的热点。与传统存储器相比,铁电存储器最突出的优点是具有......
应用高能量单脉冲激光作用在锆钛酸铅 (PZT)压电薄膜上 ,研究脉冲激光的热冲击对PZT薄膜性能产生的影响。发现在激光未烧熔薄膜的......
选用不同浓度的Pb(Zr0·52Ti0·48)O3溶胶,用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上沉积一层厚度不同的Pb(Zr0·52Ti0·48)O3(PZT52)过渡......
采用射频磁控溅射技术，在室温溅射、后续退火条件下，以PbO为过渡层，在Pt（111）／Ti／SiO2／Si（100）衬底上制备出具有完全钙钛矿结构的（Pb0.90La0.1......
利用轻气炮作为加载手段，对PZT-95／5铁电陶瓷进行冲击波压缩，以实现陶瓷受激相变放电。在涵盖了PZT-95／5陶瓷的相变压力点及雨贡纽弹性......
测量元件的Pr-T曲线，有助于了解温度对元件储能的影响。通常情况利用铁电体陶瓷的热释电效应，通过测量其加热过程中产生的热释电流，可......
利用脉冲激光分子束外延技术（MBE）在LaAl03（100）基片上依次沉积了La2/3Sr1／3Mn03（LSMO）、BaTi03（BTO）和Bi4Ti3012（BIT）薄膜。采用X射线衍射仪（X......
X射线衍射技术分析发现，通过生长一层较厚的LaAlO3顶层结构，可以把LaAlO3-BaTiO3超晶格中界面处的应变有效地控制在薄膜中，从而增加超......
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO_2/Si（111）衬底上制备了Bi_（0.975）La_（0.025）Fe_（0.975）Ni_（0.025）O_3（BLFNO）铁电薄膜。利用X射线衍射（XRD）、原子力......
采用固相反应法制备了Bi4Ti3-xNkO12＋x/2=0～0．090，BTN）铁电陶瓷，研究了Nb掺杂量对BTN陶瓷铁电性能的影响。结果表明，适量的Nb掺杂可显著提......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
通过修正的Landau-Devonshire热力学模型构建了PbZr0.4Ti0.6O3/SrTiO3异质结的电滞回线方程,得到了剩余极化强度Pr、矫顽电场Ec和......
铋层状化合物具有优异的铁电性能,在铁电随机存储器中有重要的应用前景,现已成为人们研究的热点课题。铋层状化合物的重要铁电性能......
近年来,随着微机电系统(MEMS)地不断发展,对微型材料的柔性、可加工性以及电活性提出了更高的要求。PVDF作为优秀的柔性铁电材料而......
