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硒化铟（化学式为:In2Se3）是一类重要的III-VI族直接带隙层状半导体材料,现已发现五种主要晶相,分别是:α、β、γ、δ和κ。硒化铟薄......
量子点结构的生长与特性的研究是一项具有重要理论意义和应用价值的课题.近年来,自组装量子点的生长与研究越来越受重视,而自组装......
本文介绍了利用脉冲激光分子束外延技术(L-MBE)生长LaAlO3/BaTiO3(LAO/BTO)超晶格薄膜,并首次发现其具有比相同工艺条件下生长的Sr......
铁电/铁磁异质复合材料因其巨大的应用潜力而受到研究者的广泛关注。此类材料不仅同时具有铁电性和铁磁性,而且还具有磁电耦合效应......
该文的工作主要是利用分子束外延技术,扫描隧道显微镜和角分辨光电子能谱研究铝薄膜的电子生长,褪火对铅薄膜的影响,铅薄膜中电子......
近年来,电子信息系统为了缩小体积、增强功能,正快速向微型化以及单片集成化方向发展,对电子薄膜与器件提出了尺寸小型化和功能集......
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