势垒电容相关论文
该文提出将交流测量和直流测量相结合的方法来测量晶体管发射结的正向偏压电容.分析了晶体管发射结正向电容随偏压变化的测试结果,......
在考虑SiGe HBT的势垒电容时,通常的耗尽层近似不再适用,应考虑可动载流子的影响.在分析研究SiGe HBT载流子输运的基础上,建立了考......
半导体PN结具有电容的性质．在正向直流偏压下，理论计算表明，PN结扩散电容的对数与正向偏压成正比．实验发现，当正向偏压小于30mV时，这种线......
晶体管发射结电容对晶体管的频率特性有很重要的影响,正确测量发射结正向偏压电容仍是很重要的课题.文中提出用交流测量和直流测量......
当SiGe HBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容.......
本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延;试验中采用电......
研究了硅NPN双极型晶体管（C2060）的中子和电子辐照效应。实验结果显示：经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容（NC......
在理论分析的基础上提出了用Ｃ－Ｖ法测量光伏二极管的开路电压Ｖｏｃ的新方法，通过该器件在有光照时的Ｃ－Ｖ曲线与无光照时的Ｃ－Ｖ曲线的比较分析，发现了该......
本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延片;试验中采用......
文章采用化学气相沉积（CVD）方法,生长N/N＋型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势......
