C-V曲线相关论文
碳化硅是第三代半导体材料，具有禁带宽度大，饱和漂移速度高，耐高压和耐高温以及抗辐射的优点，因此基于SiC的功率器件可以实现较小的导......
本文基于扫描探针显微镜（SPM）建立了微区电容的低频测量系统,最小测量电容为30aF,工作频率为20～100kHz。试验测量了SPM导电针尖与金属......
采用射频(RF)磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了Ba0 6Sr0.4TiO3(BST)薄膜.通过研究BST薄膜的电容-偏压(C-V)特性曲线发现,......
通过分析钛酸铋铁电薄膜材料MFS结构的C-V特性曲线，发现经过快速退火工艺处理的钛酸铋铁电薄膜的剩余极化强度Pr提高，界面上固定电荷......
Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度。本实验主要研究了用于非挥发存储器的含有Ge纳......
通过感应耦合等离子体(ICP)化学气相沉积方法并利用C4F8和H2的混合气体制备了氟化非晶碳氢(a-C:F,H)薄膜.使用红外光谱仪分析了薄......
在理论分析的基础上提出了用Ｃ－Ｖ法测量光伏二极管的开路电压Ｖｏｃ的新方法，通过该器件在有光照时的Ｃ－Ｖ曲线与无光照时的Ｃ－Ｖ曲线的比较分析，发现了该......
柔性半导体器件凭借其可弯曲、低成本、低功耗、生产简易性和规模化等突出优势而存在广阔的应用前景,如曲面显示、智能标签、小型......
在集成电路集成度不断提高，器件尺寸已经进入纳米尺度并且还在不断缩小的发展趋势下，使用传统的Si/SiO2/多晶硅结构会因为过薄的SiO2......
相对于传统的FLASH存储器而言,基于纳米晶(NCs)的非易失性存储器(NVM)因其离散俘获陷阱中心存储行为及对局部氧化层缺陷具有极大的......
GaN基MISFET是极有应用前景的半导体器件，在其目前的研究中，多采用传统的介质材料，如二氧化硅、氮化硅等。这些材料的介电常数比较低，......
