化学水浴沉积相关论文
嵌段共聚物凭借其弱影响强响应的特性以及在给定的条件下可以自组装形成多种相结构而备受人们的青睐,尤其是在嵌段共聚物薄膜中,通......
ZnO是一种新型宽禁带Ⅱ-Ⅳ族化合物半导体材料。其一维纳米结构表现出独特的物理化学性质,因而在纳米器件领域具有广泛的应用前景......
过渡金属硫化物具有特殊的3d价电子壳层结构,由于其特殊的电子结构和丰富的元素组成,在电池、催化和超级电容器应用方面是一个非常......
CdTe薄膜电池是发展最快、应用前景最好的一类太阳能电池.CdS层是CdTe电池的窗口层材.料,其薄膜质量直接影响电池的转换效率.本文......
采用化学水浴沉积法在不同氨水用量下制备了Cu(In,Ga)Se2太阳能电池的缓冲层CdS薄膜,根据化学平衡动力学计算出混合溶液中反应粒子......
CdSe是直接跃迁宽带隙的Ⅱ-Ⅵ族化合物拌导体，具有立方和六方两种结构，以及与太阳谱中可见光波段相适宜的带宽（〈1．7ev），是制作异质结太......
在含有ZnSO4,SC（NH2）2,NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,XRF和热处理前后的XRD测试表明,ZnS沉积薄膜为立方相结构,薄膜含有非晶......
硫化锌薄膜是重要的半导体光电材料。分析了化学水浴沉积法制备硫化锌薄膜的原理与机制，重点阐述了制备过程的影响因素及工艺的优化......
采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响.增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有......
采用阳极氧化法在纯钛箔上制备出TiO2纳米管阵列,再通过化学水浴沉积法在TiO2纳米管阵列上负载Cd S纳米颗粒。利用XRD、FESEM和UV-......
随着新能源的快速崛起,太阳能电池的发展和利用成为了人们关注的热点问题。在太阳能电池中,钙钛矿太阳能电池因其优异的光电转换效......
CdTe是一种直接带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,理想的禁带宽度与很高的光吸收系数使其成为第二代高效率低成本太阳能电池的主要成员之一......
CdTe材料是一种II-VI族化合物半导体材料,由于具有合适的禁带宽度和较高的吸收系数,近年来作为一种太阳能电池半导体材料受到广泛......
太阳能电池作为发展最快的清洁能源,具有无噪声、无污染、不受地域的限制、利用成本低的特点。近几年来薄膜电池得到了高速发展,其......
CIGS(CuIn1-xGaxSe2)薄膜太阳电池因其较高的转换效率和相对较低的制造成本,越来越受到人们的关注。为了与p型的CIGS吸收层形成p-n......
采用化学水浴沉积法在泡沫镍表面原位生长V2O5薄膜,以扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射（XRD）表征电极的形貌和晶体结构,采用氮气物理吸......
