CDSE薄膜相关论文
以ZnCl2为掺杂源,采用MBE工艺在SI—GaAs衬底上生长了一系列不同ZnCl2源炉温度T(ZnCl2)和VI/II束流压强比的n—CdSe薄膜。所有样品......
硒化镉(CdSe)具有优良的光电性质,是应用最为广泛的半导体材料之一。本文采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝式法,在......
采用电化学方法在导电的ITO/TiO_2薄膜上沉积了棕红色CdSe薄膜,并制得TiO_2/CdSe多层膜体系,研究了多层膜的微结构和光电化学性能.......
太阳能作为一种可再生的清洁能源,可以通过转换材料被转换成电能和化学能,可以有效解决能源匮乏和环境污染的问题。TiO_2因其化学......
纳米科学发展十几年来，纳米材料制备技术研究的一个重要方面就是对结构的控制，包括尺寸、形状、微结构等的控制，通过控制这些参数可以......
本文研究了硬脂酸二茂铁酯L-B膜修饰的薄膜Cdse电极的光诱发界面多相电荷转移过程。通过测量异相电荷转移反应速度常数K_(et),进一......
CdSe是直接跃迁宽带隙的Ⅱ-Ⅵ族化合物拌导体，具有立方和六方两种结构，以及与太阳谱中可见光波段相适宜的带宽（〈1．7ev），是制作异质结太......
本文采用简易的化学水浴沉积法和自牺牲模板法制备CdS、CdSe薄膜,对两种薄膜进行了XRD表征,比较了两种薄膜的紫外吸收光谱并研究了......
以CdCl2·2．5H2O为镉源，Na2SeSO3为硒源，柠檬酸钠为络合剂，采用超声注射喷雾热分解法制备了CdSe薄膜。并用XRD、uuVis、AFM等方法......
以CdCl2.2.5H2O为镉源,Na2SeSO3为硒源,柠檬酸钠为络合剂,采用化学超声水浴沉积法制备了CdSe薄膜,用XRD、UV-Vis、SEM等方法进行表......
采用真空热蒸发技术在光学玻璃基底上制备了CdSe薄膜,研究了真空下不同退火温度和退火时间对CdSe薄膜晶体结构和表面形貌的影响。X......
电沉积制备的CdSe薄膜经不同温度退火之后由光电化学测定和x射线衍射实验进行表征,发现随着退火温度的上升,CdSe电极的光电转换效......
采用真空热蒸发技术,在光学玻璃基片上生长出排列整齐、高质量的CdSe纳米晶薄膜。通过X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱分析（XPS）、扫......
采用真空蒸发技术在Si（100）基底上制备了CdSe纳米晶薄膜,利用X射线衍射仪（XRD）、膜厚测试仪、原子力显微镜（AFM）方法对不同蒸发电流下制......
采用循环伏安电沉积技术在ITO（氧化锡铟）导电玻璃上制备了CdSe薄膜电极,应用扫描电镜、透射电镜、紫外可见漫反射和能谱分析表征了Cd......
随着经济的快速发展,人类对能源需求越来越大,但地球上的化石资源储量是有限的,最终也将面临枯竭。新能源的利用和发展成为当今世......
采用真空热蒸发技术,选取系列蒸发电流在光学玻璃基底上制备出Cd Se薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜对样品......
半导体CdSe是一种高效的光催化剂,具有很强的氧化能力,在可见光照射射下,它能将空气中和水中的有机污染物降解为CO2和H2O,无二次污......
室温下,以CdSO4、H2SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRX......
CdSe半导体材料,因其具有与太阳光谱可见光波段相匹配的禁带宽度,以及其独特的光、电和力学性能,而被广泛应用于晶体二极管、激光......
文章阐述了以ZnSe和CdSe为代表的Ⅱ-Ⅵ族硒化物薄膜的最新发展和研究现状，从应用、性能及其工艺等方面分析了它们的优势和不足之处，......
本文主要阐述了典型的Ⅱ-Ⅵ族化合物CdSe薄膜的研究现状。利用电化学沉积法、化学水浴沉积法、热蒸发沉积法等不同的薄膜制备工艺......
