双轴应变相关论文
自石墨烯在实验上制备后,二维半导体就逐渐发展成研究的热门方向。其中砷烯和铋烯材料由于其良好的稳定性和优越的性能而受到了广......
手征性的p + ip波超导体由于具有能够导致零能Majorana束缚态的拓扑性质,可以用作拓扑量子计算的基础材料,在当前已经引起了人们极......
随着电子器件越来越微型化、集成化发展,单位面积上功耗的增加使得产生的热量也随之增加,实现对热量高效合理的控制有着极其重要的......
二维磁性材料能够在单原子厚度保持自发磁化,它为低维系统的磁性研究提供了新的契机,在信息存储和数据处理等方面有广阔的应用前景......
石墨烯的发现使得二维材料备受关注,其中锑烯基材料因其稳定性好、无毒、性能优越等特点备受研究者们追捧。近年来科研工作者对锑......
高效利用太阳能是解决能源危机和环境问题的最佳途径。通过应变和掺杂调控材料带隙,提高太阳能吸收效率是当前的研究热点。本论文......
近年来，随着石墨烯这种性质异于传统材料的低维纳米材料的出现，科学研究者们开始大量关注结构类似的相应材料。因为纳米尺度的低维材......
本文通过第一性原理计算,系统研究了施加单、双轴应变时,六角晶系内典型半导体材料晶体结构的衍化,并同时计算了其能带结构、弹性......
利用第一性原理计算方法密度泛函理论的局域密度近似计算了纤锌矿氮化铝（AlN）、氮化镓（GaN）、氮化铟（InN）及其合金在双轴应变下的电子有......
通过计算双轴应变下氮化镓的电子能带结构,给出了GaN有效质量与应变的变化关系。在弛豫时间近似的条件下,这种关系决定了双轴应变A......
基于密度泛函理论的第一性原理并结合非平衡格林函数,探讨了应变对BaTiO3铁电薄膜漏电流的影响规律.研究表明,压应变能有效地抑制B......
铜锌锡硫、铜锌锡硒和铜锌锡硫硒是一类新兴的薄膜太阳电池吸收层材料。它们是直接带隙半导体材料,可见光区的吸收系数超过104cm-1......
2004年,英国曼彻斯特大学物理学家成功从石墨中分离出石墨烯以来,二维石墨烯和类石墨烯纳米材料关注度增加,且由于其优异的物理性......
随着集成电路技术的快速发展,等比例缩小技术已经不能满足摩尔定律,应变硅MOSFETs技术成为后硅时代研究的热点。应变硅技术通过拉......
随着器件尺寸的不断减小,按比例缩小技术将逐渐接近于其物理极限,并受到经济成本不断增加的制约,所以其实际效益呈持续下降的趋势......
近年来,应变硅(Strained Si)技术由于在提高MOS器件性能方面的卓越表现而备受关注。例如,通过在沟道中引入适当的压应力和张应力能......
随着应变硅(Strained Silicon)技术的产生及其研究的不断深入,人们已经认识到在半导体器件结构和材料中引入适当的应力,通过控制应......
