单轴应变Si相关论文
热载流子效应产生的栅电流是影响器件功耗及可靠性的重要因素之一,本文基于热载流子形成的物理过程,建立了单轴应变硅NMOSFET热载......
基于γ射线辐照条件下单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）载流子的微观输运机制,揭示了单轴应变Si纳米NMOSFET......
本文在建立单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管迁移率模型和阈值电压模型的基础上，基于器件不同的工作区域，从基本的漂移扩......
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随着晶体管特征尺寸的缩减,集成电路对软错误的敏感性增加,为辐射环境下的集成电路(IC)带来了挑战,单粒子效应(SEE)已成为军用和商......
应变Si材料具有较高的载流子迁移率，且与传统的Si工艺兼容已成为国内外的研究热点，同时也是由于应变Si禁带宽度的减小和载流子迁移率......
