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双外延基区相关论文
4H-SiC双外延基区双极晶体管模型与实验研究
以碳化硅(SiC)材料为代表的第三代宽带隙半导体材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,非常适合制......
学位
4H-SiC
双极晶体管
双外延基区
基区渡越时间
电流增益
比导通电阻
击穿电压
欧姆接触
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