基区渡越时间相关论文
本论文介绍了SiGe材料和器件特性、电路相对于Si器件和Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的优越性。介绍了SiGe HBT的能带结构以及Ge的引入......
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由于发射结(EB结)价带存在着能量差ΔEv,电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定,给HBT设计带来了更大的自由度。为减......
通过分析SiGe HBT超薄基区中非平衡效应对载流子温度,扩散系数等参量的影响,建立了超薄SiGe HBT基区渡越时间模型.......
建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区G......
在已有的SiCe HBT基区渡越时间模型的基础上，考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系．结果表明：大电流密度下的势垒效应......
基于4H—SiC的材料特性，对具有双外延基区结构的4H—SiC双极晶体管进行研究．通过分析该结构在基区内部形成的自建电场以及基区渡越时......
对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,......
通过求解玻尔兹曼能量平衡方程，得出基区的电子温度分布，建立了考虑电子温度变化，适用于超薄基区SiGeHBT的基区渡越时间模型。该模型......
对基于SiGeHBT基区本征载流子浓度和电子迁移率依赖于掺杂、基区Ge组分分布和速度饱和效应的基区渡越时间进行了研究。结果表明，相......
讨论了采用能量传输模型时的SiGeHBT基区电子温度分布，以及电子温度对基区渡越时间的影响．计算结果表明：基区电子温度呈现明显的不均......
以碳化硅（SiC）材料为代表的第三代宽带隙半导体材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，非常适合制......
提出了SiGe和SiGeC异质结晶体管基区渡越时间的一种闭式物理模型，该模型考虑了电子温度效应．计入薄基区内强电场（该电场源起于Ge，C元素......
