采用固态源分子束外延系统（SSMBE），以四溴化碳（CBr4）作为碳掺杂源，研究基于碳掺杂InGaAs材料的InP双异质结双极晶体管（DHBT）分子束外延生长......

介绍了采用基于柠檬酸、硫酸和磷酸的腐蚀溶液对气态分子束外延生长的InP衬底上GaAs0.51Sb0.49湿法腐蚀研究工作。对不同体积比的......

设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作......

报道了用于超高速数字集成电路的0.5μm发射级线宽的InP/InGaAs DBHT器件,及其100 GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详......