静态分频器相关论文
该文介绍了一种纳米电子器件:谐振隧穿二极管(RTD),它是一种新型GaAs衬底二端口器件,具有高速和双稳态两大特性.该文详细介绍了谐......
共振隧穿器件是基于量子隧穿现象的一种负阻器件.随着超大规模、甚大规模集成电路的飞速发展,器件线宽的不断减小,量子效应将不可......
叙述了高速 Al Ga As/ Ga As HBT D-触发器和静态分频器的设计、制造和性能。用电流型逻辑和自对准工艺 ,D-触发器上升和下降时间......
近日，中科院微电子研究所四室InPHBT小组研制成功基于In P／InGaAs DHBT工艺的静态分频器，测试结果表明此分频器可在大干40GHg频率下正......
介绍了一种超高速、低功耗÷8静态分频器。该电路采用0．35μmB iCMOS工艺制作，晶体管fT达21GHz（Vce=1V）。该分频器在-5V电源电压下......
分频器目前已经广泛用于光纤通信系统和无线通信系统,本文提出了一个利用0.6μmCMOS工艺实现的1 : 2静态分频器设计方法.在设计高......
报道了用于超高速数字集成电路的0.5μm发射级线宽的InP/InGaAs DBHT器件,及其100 GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详......
