双极互补金属氧化物半导体相关论文
采用锗硅工艺设计了一款X波段多功能芯片,该芯片包括开关、低噪声放大器、驱动放大器、移相器和衰减器等功能电路.传统的微波多功......
给出了一个基于AMS0.35μm SiGe BiCMOS工艺的低噪声放大器(LNA),主要应用于witone数字集群移动通信系统手持机中。该低噪声放大器采用......
通过分析影响双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)反相器全摆幅输出和高速度的诸因素,设计了具有高速、低功耗、全摆幅输出的BiCMOS......
设计了几种BiCMOS三态输出门电路,提出了采用先进的0.5μm BiCMOS工艺,制备所设计的三态输出门的技术要点和器件参数,并分析了它们......
在对传统CMOS锁存比较器分析的基础上,设计了一种可自校正失调电压的BiCMOS锁存比较器,它既具有双极型电路快速、输入失调电压低和......
提出了一种低压、低耗、高响应速度和低噪声的BiCMOS电荷放大器。浚放大器采用BiCMOS共源一共栅输入放大级,在实现高增益的同时大大......
为了满足高速度、低功耗数字逻辑系统的应用需求,运用改进电路内部结构和优化选取器件参数的方法,设计了4种双极互补金属氧化物半导......
介绍了一种集成在BiCMOS工艺的p-i-n开关二极管的器件。它由在STI下面的n型赝埋层作为p-i-n的n区,锗硅npn异质结双极型晶体管的重......
介绍了几种高开关速度、低电源电压等级、低功耗的BiC MOS逻辑门电路,并分析了它们的工作原理及其工艺技术情况.结果表明,这些电路......
<正>IBM 8HP硅锗技术使未来泰克示波器的速度性能提升超过30 GHz泰克公司日前宣布,其下一代、可扩展、高性能示波器平台将广泛采用......
为适应目前无线通信领域对高速A/D转换器的要求,采用在Cadence Spectre环境下进行仿真验证的方法,对高速A/D前端采样保持电路进行......
基于全差分结构提出一种高速BiCMOS运算跨导放大器,该放大器采用两级放大结构实现,可用于8位250 Msps流水线结构模数转换器的采样/......