有源层厚度相关论文
有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)和有源矩阵液晶显示器(AMLCD)是现代显示的主流产品,薄膜晶体管(TFT)是显示器驱动的关键核......
结合有效折射率(EI)方法和RPS(实折射率/微扰/打靶)方法,对矩形有源波导的模Ey11和模Ex11增益进行了计算.分析了包层宽度以及有源......
铟镓锌氧化物薄膜晶体管(InGaZnO-TFT)因其成膜温度低、迁移率高、透明性好和制备成本低等优点,引起了国内外广泛的关注,并可能取......
本文研究了薄ａ－Ｓｉ：Ｈ有源层结构的ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的特性，实验结果表明，当ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度小于一个临界值时，ａ－Ｓｉ：Ｈ厚度的变化对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ静态特性的影响明显增大．文中详细分析了有源......
使用磁控溅射法制备了IGZO-TFT,研究有源层厚度对其电学性能的影响.实验结果表明,器件的阈值电压和开关比会随着有源层厚度的增大......
为优化氧化锌薄膜晶体管（ZnO-TFT）的工艺参数,采用射频磁控溅射法沉积ZnO薄膜制备出不同有源层厚度的ZnO-TFT器件,探讨了有源层厚度......
利用数值模拟的方法研究了有源层厚度对电流调制下垂直腔面半导体激光器(VCSELs)混沌动力学行为的影响。模拟结果表明有源层厚度较......
现代的GaAs MESFET在输入功率增大时,都有输出功率饱和的现象。实验表明:这种功率饱和是由正向栅电导和反向栅-漏击穿等因素共同造......
研究了有源层ａ－Ｓｉ∶Ｈ的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响．研究结果表明，ａ－Ｓｉ∶Ｈ层的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ的静态特性（如开／关态电流比、阈值电压等）有较大的影响．理论分析表明......
当前n型氧化物薄膜晶体管（TFT）已经能够胜任平板显示器件,但是更复杂的应用却需要基于n型及p型半导体的互补金属-氧化物-半导体（CMOS）......
薄膜晶体管作为像素开关被广泛应用于液晶显示器、有机发光二极管及电子纸等平板显示和柔性显示中。由于显示器在视角、响应速度、......
随着未来显示逐渐向高分辨率、大面积以及柔性化方向的发展，对背板技术性能要求更高。以铟镓锌氧化物薄膜晶体管为代表的氧化物薄膜......
