声子模相关论文
当今，众多材料制备技术例如金属有机物化学气相沉积、分子束外延法和自组装技术等可以制备出不同尺寸、外形和介电环境的纳米材料。......
本文主要研究了具有抛物势的低维量子体系的极化子效应。包括圆柱形自由量子线和量子阱的极化子效应。在第一章中概述了异质结、量......
用二氧化碳激光快速凝固技术合成了负热膨胀材料钨酸钇。场发射扫描电子显微镜和X射线衍射分析表明:二氧化碳激光快速凝固技术合成......
在量子顺电体中,与声子模相联系的零点振动抑制了铁电性的出现,主要的现象表现在其介电常数随温度的变化不满足居里-外斯定律,在低......
半导体纳米微粒不仅具有实际应用前景，而且也是研究固体物理过程的工具。这是因为纳米微粒与块状单晶相比具有新性质，例如，许多半导体......
该文采用溶胶-凝胶法制备了钛酸铅(PT)、La改性钛酸铅(PLT)和Ca改性钛酸铅(PCT)凝胶,通过差热、热重等热分析技术确定了凝胶的焙烧......
该文把曾应用于量子阱和量子线中的黄朱偶极子模型推广到量子点,计算了长方体量子点的光学声子模和与之相伴的静电势,并进行了模式......
该文的第一章概述了半导体异质结、量子阱及低维量子体系的一般特征,并对低维量子体系中的声子模及极化子与束缚极化子效应研究的......
采用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法在硅衬底上制备了ＰｂＴｉＯ３ 多晶薄膜，利用红外反射光谱测量了薄膜在室温下的声子谱，并首次观察到８ 个红外活性的声子模，分别位于......
利用改进的solgel工艺,通过快速热退火和慢速退火两种方式在Si衬底上制备了PbTiO3多晶薄膜,并采用红外反射光谱对PbTiO3薄膜进行了......
在常温下,对La掺杂共生结构铁电陶瓷Bi4-xLaxTi3O12-SrBi4-yLayTi4O15[BLT-SBLT(x+y),x+y=0.00,0.25,O.50,0.75,1.00,1.25,1.50]进......
报道了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３多晶陶瓷ｃ轴取向薄膜样品的红外光谱，在Ｐｒ－Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ６．３中观察到９个声子模，对应于５Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动。在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３材料中观察到１０个声子模，对应于６Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动，其中Ｐｒ的Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别为位......
采用MOCVD方法在GaN/α-Al2O3(0001)衬底上生长获得了InGaN合金薄膜.X射线衍射(XRD)谱仅观察到InGaN(0002)和GaN(0002)的衍射峰,表......
期刊
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本文讨论了ＰｂＴｉＯ３、Ｐｂ１－ｘＬａｘＴｉ１－ｘ／４Ｏ３和Ｐｂ１－ｘＣａｘＴｉＯ３纳米晶拉曼散射中Ａ１（ＴＯ声子峰的不规则线型和多峰劈裂现象。认为以简正振动坐标构成的非谐性双势阱势能函数和Ｍｏｒｓｅ势能函数的......
运用群论理论对负膨胀系数材料Zn（CN）2和Cd（CN）2的晶格振动进行了对称性分类,利用第一性原理密度泛函理论计算了它们布里渊区中心点的......
采用水热合成法制备出Fe2（MoO4）3样品,并用高温X-射线衍射、热重和差示扫描量热同步热分析仪对其进行表征,发现样品在510℃附近发生......
在室温和背散射配置下,测量了GaAs/AlAs超晶格的Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘GaAs衬底上.激发光源......
期刊
<正> 采用当今的半导体亚微结构工艺,人们不仅能够制造一个维度方向约束的量子阱二维电子系统,而且能够制造出各种截面形状、尺寸......
纤锌矿AlGaN/GaN异质结构是GaN基高迁移率晶体管(HEMT)采用的典型异质结构,其强自发极化和压电极化效应使得体系界面处产生高浓度......
介绍了对半导体超晶格中宏观和微观两种界面声子研究的最新结果，深入讨论了这些新结果的物理意义，以及有待进一步研究的问题 。......
采用MOCVD方法在GaN/α-Al2O3（0001）衬底上生长获得了InGaN合金薄膜。X射线衍射（XRD）谱仅观察到In-GaN（0002）和GaN（0002）的衍射峰,表明InGa......
在量子阱材料中，同时考虑体声子和界面声子模对受主杂质态能级的影响，给出了受主杂质态基态结合能和不同支声子模对能量的贡献随阱宽......
采用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法在硅衬底上制备了ＰｂＴｉＯ３多晶薄膜，利用红外反射光谱测量了薄膜在室温下的声子谱，并首次观察上红外活性的声子模，分别们于８１、１５５、......
报道了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３多晶陶瓷ｃ抽取向薄膜中的红外光谱，在ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３中以９个声子模，对应于５Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动。在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３材料中观察到１０个声子模，对应于６Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动，其中Ｐｒ的Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别为位于１７０ｃｍ＾－１和１９８ｃｍ＾－１，Ｙ和......
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本文比较全面地研究了圆柱形量子线系统，包括自由量子线和量子阱量子线的极化子效应，分为三个主要部分。 第一部分的工作是推导自......
本论文研究工作的主要内容包括： （一） Bi系高温超导样品的制备与测试。 采用标准的固相反应法制备了Bi系超导样品，基于超导体的......
电子态和声子模是半导体超晶格的基础和前提，通常来讲，半导体超晶格能够有效地控制并影响低维物理体系，是以“分子外延”和“能带工程......
本文结合国家科学基金重大项目“半导体超晶格和微结构”的一部分研究工作（超晶格材料的生长技术，量子阶，超晶格的光学声子模，能带类型......
随着维度的降低,低维半导体系统的量子受限效应、量子隧穿效应、库仑阻塞效应等表现的越来越明显。量子点中载流子的运动受到三维......
随着金属有机物化学气相沉积、分子束外延等现代技术和工艺的发展,各种形状的低维半导体结构,如量子阱,量子线,量子点等都可以通过......
随着晶体技术的发展,如金属有机物化学气相沉积、分子束外延等先进材料生长方法的相继出现,人们能生长出各种形状和结构的低维量子......
